一种。霍尔效应。
确定半导体导电类型的实验方法就是霍尔效应测量了。再就是理论推导,根据元素类型,进行计算。
在磁场中,通电导体会出现横向电压的现象,多子为电子的n型和多子为空穴的p型半导体,由于载流子的正负属性不同,会使横向电压方向不同,从而可以测出类型。
扩展资料:
在半导体上外加与电流方向垂直的磁场,会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集,在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场,电场力与洛伦兹力产生平衡之后,不再聚集,此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力,使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移,这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。
参考资料来源:百度百科-霍尔效应
1.用数字万用表的二极管档位测量二极管。测二极管时,使用万用表的二极管的档位。若将红表笔接二极管阳(正)极,黑表笔接二极管阴(负)极,则二极管处于正偏,万用表有一定数值显示。若将红表笔接二极管阴极,黑表笔接二极管阳极,二极管处于反偏,万用表高位显示为“1”或很大的数值,此时说明二极管是好的。在测量时若两次的数值均很小,则二极管内部短路;若两次测得的数值均很大或高位为“1”,则二极管内部开路2.用数字万用表测量三极管(1)用的二极管档位测量三极管的类型和基极b判断时可将三极管看成是一个背靠背的PN结,如图2.1所示。按照判断二极管的方法,可以判断出其中一极为公共正极或公共负极,此极即为基极b。对NPN型管,基极是公共正极;对PNP型管则是公共负极。因此,判断出基极是公共正极还是公共负极,即可知道被测三极管是NPN或PNP型三极管。(2)发射极e和集电极c的判断利用万用表测量β(HFE)值的档位,判断发射极e和集电极c。将档位旋至MFE基极插入所对应类型的孔中,把其于管脚分别插入c、e孔观察数据,再将c、e孔中的管脚对调再看数据,数值大的说明管脚插对了。(3)判别三极管的好坏测试时用万用表测二极管的档位分别测试三极管发射结、集电结的正、反偏是否正常,正常的三极管是好的,否则三极管已损坏。如果在测量中找不到公共b极、该三极管也为坏管子。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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