怎么半导体中测量电子的有效质量？

用FN振荡电流的极值，测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法。利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式.我有这方面的一个资料。有效质量并不代表真正的质量，而是代表能带中电子受外力时，外力与加速度的一个比例系数（在准经典近似中，晶体电子在外力F*作用下具有加速度a*，所以参照牛顿第二定律定义的m*=F*/a*称作惯性质量）。

有效质量不是电荷量，所以空穴的有效质量与电子有效质量的大小跟成对产生没有多大关系。我半导体学的不精通，不能给出有效质量谁大谁小的确切解释。不过我觉得空穴毕竟是带正电嘛，貌似起码得带一个原子核，那么它的有效质量肯定远远大于一个电子咯。仅供参考咯

有效质量不是电荷量,所以空穴的有效质量与电子有效质量的大小跟成对产生没有多大关系.我半导体学的不精通,不能给出有效质量谁大谁小的确切解释.不过我觉得空穴毕竟是带正电嘛,貌似起码得带一个原子核,那么它的有效质量肯定远远大于一个电子咯.仅供参考咯

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