2016年国外半导体多少纳米

1-3纳米。国外芯片最低达到3纳米。目前3纳米芯片成功流片的是三星芯片，采用全环绕栅极架构（GAA架构），据称性能超越台积电FinFET架构的3纳米芯片，而台积电规划是2纳米会采用新的GAA架构。理论上GAA架构要优于FinFET架构，但量产要等到明年，目前还没法比较，这两家就是目前芯片市场中最极致的芯片工艺制程了。

中企最高技术28纳米，而且还是中芯挖的台干带来的技术 芯片工艺最重要的机器是光刻机，目前被欧洲垄断。intel目前最先进的半导体是4纳米，最近在研发12纳米。

虽然说世界上已经有人在研发7纳米，但同样的14纳米的技术中，intel的技术是最高的。

欧洲有条约禁止向社会主义国家出口类似光刻机的高科技设备

2020年我国光刻机现在属于什么水平?详细数据，多少纳米？

极客谈科技

原创 · 02-29 21:28 · 科技领域创作者

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整体上来说，我国芯片产业与发达国家确实存在较大的差距，这点是客观存在的事实。因此，美国才会有底气通过芯片以及软件的方式来打压华为与中兴等优秀的科技公司。虽然，华为具备研发高端移动处理器的能力（紫光展锐也宣布了基于6nm EUV工艺的虎贲T7520芯片），但是，依然受制于芯片生产上的限制，真正的原因还在于我国光刻机水平较为落后。

国内能够研发光刻机的公司是上海微电子装备公司，当前该公司最先进的光刻机产品是600系列光刻机。SSX600系列光刻机最高能够实现90nm工艺制程，荷兰的ASML的高端光刻机已经能够实现5nm工艺制程，两者之间的差距相当巨大。

那么，短期内上海微电子装备公司是否能够迎头赶上呢？

答案是否定的，光刻机内部零部件工艺要求较高，短期内基本上无法实现赶超。例如光刻机较为重要的镜头，ASML公司是从德国的蔡司采购，基本上由蔡司祖传匠人独家打磨，极少能够到达这一标准；除此之外，光刻机对于光源要求同样较高，ASML公司光刻机的光源由美国CYMER公司独家提供，后来为了方便直接收购了这家公司。

除此之外，光刻机的工作台、侵液系统等难度同样较高，暂时国内工艺还达不到此标准。荷兰ASML公司的光刻机，可以看做是世界顶级零部件的集合体，缺一不可！

那么，是否意味着国内只能够生产90nm工艺制程的芯片呢？也非如此，这里就需要讲讲中芯国际这家公司。中芯国际与台积电类似，均属于芯片代工公司。当前中芯国际已经能够实现14nm工艺制程芯片的量产，12nm工艺制程芯片也进入到客户导入环节。中芯国际自研的N+1、N+2芯片已经具备7nm工艺制程的特点，即将在2021年实现量产。也就是说，国内当前最高能够生产性能趋近于7nm工艺制程的芯片。

前不久的最新消息，华为交付给中芯国际14nm工艺的首批订单已经开始交货。这无疑是一个好消息，华为过于依赖台积电代工芯片的问题将会有所改善。

7纳米。半导体是一种非常精密的材料，而半导体微震等级7纳米比较合适，在生产过程中一旦出现震动，即使震动也非常微小。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，在消费电子、通信系统、医疗仪器等领域有广泛应用。

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