美国对华禁售半导体设备，我们该如何突破技术瓶颈？

美国对华禁售半导体设备，我们该如何突破技术瓶颈首先是找一些发达国家的科技企业合作，其次是自己生产半导体，再者就是加强一些半导体的研究，另外就是吸收大量的半导体人才，需要从以下四方面来阐述分析美国对华禁售半导体设备，我们该如何突破技术瓶颈。

一、找一些发达国家的科技企业合作 

首先是找一些发达国家的科技企业合作 ，之所以需要找一些发达国家的科技企业合作就是为了满足我们国内对于半导体设备制造的需求，并且可以绕过美国科技企业来更好地实现一些战略合作的目的。

二、自己生产半导体 

其次就是自己生产半导体之所以需要自己生产半导体就是这样子可以使得自身获得更多的一个发展和进步，并且可以借助一些现有的科技手段来生产符合工业标准的半导体设备，这样子可以加速工业的发展。

三、加强一些半导体的研究 

再者就是加强一些半导体的研究 ，之所以需要加强一些半导体的研究就是这样子可以使得半导体的发展处于更前沿的状态，并且可以帮助我们国家实现更好地发展，这都是非常必要的手段。

四、吸收大量的半导体人才 

另外就是吸收大量的半导体人才 之所以需要吸收大量的半导体人才就是这样子可以使得我们国家的发展处于一个更加稳定的状态，并且可以提供一些福利政策给到这些人才从而帮助国家更好的发展。

中国应该做到的注意事项：

应该加强人才的吸收，这是可以使得国家的科研实力更加强大，这对于国家的长期发展而言都是非常有利的，并且可以更好地延伸多方面的发展。

半导体产业界著名的摩尔定律“芯片的集成度每18个月至2年提高一倍,即加工线宽缩小一半”,人们普遍认为,在这一定律描述下的时代还能延续10a.

提出该定律的摩尔本人也曾公开表示,10a之后,摩尔定律将很难继续有效,因为硅材料的加工极限一般认为是10nm线宽,受物理原理的制约,小于10nm后不太可能生产出性能稳定、集成度更高的产品.可能的替代方案是使用电子迁移率更高、尺寸更小的碳纳米管及石墨烯.二者具有相似的性质,都可以用于制作性能优良的微电子器件,以延续微电子技术的发展。

现在芯片的尺寸做的非常小，集成度非常高。需要新的材料才能满足芯片的要求。

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