厂房楼面荷载根据不同使用功能,差别很大。一般标准厂房的荷载为4.0KN/m²。
给你一个表格看看:
附录C 工业建筑楼面活荷载C.0.1
一般金工车间、仪器仪表生产车间、半导体器件车间、棉纺织车间、轮胎厂准备车间和粮食加工车间的楼面等效均布活荷载,可按表C.0.1~C.0.6采用。
注:1 表列荷载适用于单向支承的现浇梁板及预制槽形板等楼面结构,对于槽形板,表列板跨系指槽形板纵肋间距。
2 表列荷载不包括隔墙和吊顶自重。
3
表列荷载考虑了安装、检修和正常使用情况下的设备(包括动力影响)和 *** 作荷载。
4 设计墙、柱、基础时,表列楼面活荷载可采用与设计主梁相同的荷载。
注:见表C.0.1注。
注:括号内的数值仅用于粗纱机机头部位局部楼面。
注:1 密炼机检修用的电葫芦荷载未计入,设计时应另行考虑。
2
炭黑加工投料活荷载系考虑兼作炭黑仓库使用的情况,若不兼作仓库时,上述荷载应子降低。
3 见表C.0.1注。
注:1 当拉丝车间不可能满布磨辊时,主梁活荷载可按10kN/m2采用。
2 吊平筛的顶层荷载系按设备吊在梁下考虑的。
3
米厂清理车间采用SX011振动筛时,等效均布活荷载可按面粉厂麦间的规定采用。
4 见表C.0.1注。
中韩通讯社 韩国金禅子
三星电子8月30日表示,建筑面积达16个足球场(12.89万平方米)的平泽2号半导体工厂已经产出首批D-RAM产品。该工厂将负责生产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产品。
三星电子表示,“以量产D-RAM产品为起点,平泽2号工厂还将建成新一代V NAND、超精细代工产品生产线,成为高 科技 综合生产工厂,为公司在第四次工业革命时代拉开半导体技术的差距发挥核心作用”。
为应对市场对EUV工艺尖端产品的需求,三星电子从今年5月开始动工在平泽2号工厂建造代工生产线,并从6月份开始建造NAND闪存半导体生产线、应对市场对尖端V NAND产品的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。
三星电子2018年8月公布180万亿韩元、创造4万个就业岗位的投资计划后,开始投资建造平泽2号工厂。
继平泽1号工厂之后,预计平泽2号工厂的总投资规模也将达到30万亿韩元以上。其中三星电子直接雇佣人数将达4000人,包括其供货商等合作伙伴和建设人员在内,共将创造3万多个就业岗位。
平泽1号工厂从2015年动工,占地289万平方米,2017年6月投产。
平泽2号工厂产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产品是第一次利用EUV工艺量产的存储芯片。三星电子表示,这款产品拥有世上最大的容量和最快的运转速度,是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产品。
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