东微半导登陆科创板 充电桩芯片第一股成色几何？

东微半导是一家工业及 汽车 领域应用的半导体企业，在高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域中，实现了国产化。

与比亚迪半导体一样，作为炙手可热的车载芯片，东微半导IPO备受瞩目，其背后的投资阵容非常亮眼，包含了哈勃投资、中芯聚源、中兴创投以及元禾控股等。

结缘英飞凌 科技

东微半导的法定代表人为龚轶，其与王鹏飞是联合创始人。上市前，王鹏飞实控东微半导，持股比例达到16.0872%，龚轶持股13.2791%。

履历显示，龚轶出生于1976年6月，硕士毕业于英国纽卡斯尔大学。与半导体结缘，发生在1999年7月，龚轶担任美国超微半导体公司工程部工程师。

2004年9月，龚轶转投到德国英飞凌 科技 ，这是全球领先的半导体公司之一，前身为西门子集团的半导体部门。在 汽车 电子与芯片卡部门，龚轶做技术专家，一做就是3年。

2008年9月，龚轶与王鹏飞共同创办东微有限。

王鹏飞与龚轶有着相同的经历，也来自于英飞凌 科技 。凑巧的是，王鹏飞也出生于1976年，其为德国慕尼黑工业大学博士。2004年7月，在德国英飞凌 科技 ，担任存储器研发中心研发工程师一职。

值得一提的是，王鹏飞还于2009年7月起，担任复旦大学微电子学院教授，是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者。

或许是两人年龄一样，背景相似，两位工程师在车载芯片上发生了交集。

成立东微半导后，王鹏飞为首席技术官，带领刘磊、刘伟及毛振东进行研发。其中，刘磊硕士毕业于安徽大学电路与系统学院，曾任职华润上华半导体 科技 ，担任工艺整合工程师。有意思的是，另一核心研发人员毛振东，也任职过华润上华 科技 ，为技术开发部工程师。

而龚轶则一直做总经理，负责东微半导的业务。按东微半导的话来说，公司核心技术人员均为半导体相关专业毕业，从事半导体技术开发和项目管理工作超过10年，有着丰富的产品开发经验和项目管理经验。

缺芯潮席卷 “充电桩芯片”第一股成色几何？

核心技术人员都是半导体行业出生，东微半导成色如何？

营收数据显示，2018-2020年东微半导分别实现1.53亿元、1.96亿元、3.09亿元，分别增长28%、57%。同时，公司还预计2021年度，营业收入为7.72亿元至8.03亿元，同比增长150％至160％。

营收大增的背后，是新能源 汽车 充电桩、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求提升，公司产品规模增长所致。

细察发现，东微半导专注新能源 汽车 直流充电桩、5G基站电源及通信电源等领域，为国内少数专注工业级高压超级结MOSFET领域的高性能功率半导体厂商。

2019年度，东微半导MOSFET器件的平均销售单价为2.19元/颗，高于同行业的平均单价1.19元/颗。在缺芯潮下，2021年1-6月，MOSFET器件单价变为3.06元/颗，增长35.40%，为东微半导芯片中，变动幅度最大的产品。

中低压屏蔽栅MOSFET的平均单价则为1.16/颗，增长4.50%，而与比亚迪半导体一样，研发的TGBT半导体，单价则为9.10元/颗。

不过，值得注意的是，超级硅MOSFET单价却为2.81元/颗，反而同比增长-1.40%。

由于销售单价上涨，东微半导的MOSFET器件毛利率也随之上涨。2021年1-6月，该品类毛利率达到26.87%，较2020年的17.89%增长50%。

不过，在业务结构中，东微半导与士兰微和新洁能相近。士兰微主营MOSFET、IGBT半导体分立器件；新洁能则做沟槽型功率MOSFET、超级结功率MOSFET的。

2021年1-6月，两者对应的毛利率超过30%，分别为31.60%和36.93%。对应的生产模式，士兰微是IDM模式，即从设计、制造、封装测试到销售自有品牌，新洁能则以Fabless模式为主。

华为的第6个IPO来了，做VC最高回报超50倍

对于东微半导来说，哈勃投资的入局并不算太早。2020年7月，哈勃投资才向东微半导入股7530万元，对应持股比例为6.5913%，但哈勃投资为战略投资。

此前，东微半导曾发生过3次增资及3次股权转让。聚源聚芯、中芯国际的VC趁此进入。

根据披露，哈勃投资入股是看好东微半导所处行业及未来发展，入股价格为22.6075元/股，对应5053.2275的总股本，这意味着投后估值为11亿元。

2月10日，东微半导首日开盘涨13%，市值近百亿，回报近6倍。

这不是哈勃投资第一次在VC投资上，获取丰厚回报。

2022年1月12日，哈勃投资迎来了第5个IPO。其以1.1亿元投资天岳先进，持有10%股份。而哈勃投资介入的该轮融资投前估值为10亿元。

哈勃投资进入4个月后，天岳先进又进行了3.5亿元的融资，三家机构入场，这次投前估值涨到了18亿元。随着天岳先进的上市，哈勃投资在这笔投资中，回报倍数达到20倍。

此外，思瑞浦、灿勤 科技 、东芯股份、炬光 科技 ，均是哈勃投资投出的IPO。数据显示，从2019年成立，哈勃投资已经拿下了6个IPO。并且华为做VC，也发生了第一笔退出，减持480亿元芯片龙头。

或许是VC投资做的风生水起，哈勃投资也正式进军私募。1月19日，“中基协”公示了哈勃投资的私募基金管理人信息，公司于今年1月14日正式登记为私募股权、创业投资基金管理人。

股权穿透显示，实控人、大股东是华为投资控股有限公司工会委员会，持股99.25%，任正非持股0.75%。

在半导体领域上，哈勃投资还在不断加码。2021年以来，先后投资了苏州晶拓半导体、深迪半导体、东莞市天域半导体、杰华特微电子、上扬软件等等。

对于哈勃投资的成立，华为轮值董事长郭平曾谈说，华为的核心业务是聚焦在联接和计算，但贸易摩擦下，专门成立了哈勃投资，通过投资和华为的技术去帮助整个产业链。

截至目前，哈勃投资的公司中，纳芯微、好达电子、长光华芯等均已经过会。可以预见，一个“硬 科技 VC”巨头正在升起。

IGBT芯片也称为绝缘栅双极晶体管。它是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件 。它结合了MOSFET和BJT的优点。它在高电压，大电流和高速下均具有出色的性能，使其成为电力电子领域中的理想开关器件。 IGBT模块是一种模块化产品，由多个IGBT芯片和FRD（快速恢复二极管）芯片通过特定电路封装在一起组成。输入阻抗大，驱动功率小，控制电路简单，开关损耗低，开关速度快。工作频率高，部件容量大等特点。

就下游应用而言，新能源 汽车 市场占31％，成为最大的IGBT芯片应用市场。第二是家电领域，占27％。在工业控制领域排名第三，占20％。新能源发电占11％，其余占11％。下游工业控制和消费电子产品的逐步复苏有望推动IGBT芯片市场的逐步扩展 。 IGBT芯片是光伏逆变器和风力发电逆变器的核心组件。新能源发电产业的快速发展将成为IGBT芯片产业的持续增长。随着新能源 汽车 市场的快速发展，IGBT芯片的需求和价值有望进一步增加，从而推动了IGBT芯片产业的增长。

目前， IGBT芯片的国产化已成为国家重点半导体器件的发展重点之一，IGBT芯片也被列为国家“ 02专项”的重点扶持项目，相关产业已进入阶段发展迅速。作为国内领先的IGBT芯片公司，斯达半导一直专注于IGBT芯片的独立研发。 该公司的IGBT芯片模块型号齐全。目前，它已经形成了涵盖工作电流5A-3600A和工作电压600V-3300V的产品布局。同时，该公司还具有提供MOSFET模块，IPM模块，整流器模块，晶闸管，碳化硅器件和其他产品的能力，从而形成了功率半导体的完整产品布局。先进的IGBT芯片设计，模块设计和制造工艺领先市场。

中高端IGBT芯片设计和制造中的技术创新和突破主要由国外制造商主导。在全球市场上，英飞凌，富士电机和IXYS等国际制造商涵盖了IGBT芯片产品的整个电压范围，而瑞萨，罗姆和意法半导体等制造商则专注于中低压产品。三菱，中国中车和斯达半导之类的制造商仅提供IGBT芯片模块产品。 随着公司产品技术水平逐步与国际水平接轨，公司在国内的替代优势越来越明显，主要体现在细分行业的领先优势，快速满足客户个性化需求的优势以及价格竞争的优势。 。该公司是IGBT芯片的领导者。随着IGBT芯片市场的快速扩展和国内替代产品的强劲趋势的帮助，企业有望凭借自身的竞争优势突围并扩大市场份额。公司在行业中的领先地位已得到牢固确立。 公司的 IGBT芯片模块的全球市场份额约为2.2％，在中国排名第一，在全球排名第八。

2020年前三季度，公司营业收入为6.68亿元，同比增长18.14％，归属于母公司股东的净利润1.34亿元，同比增长29.44％，其中第三季度，公司实现营业收入2.52亿元，同比增长26.39％，实现母公司实现净利润5300万元，同比增长36.24％。

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