什么化学剂可以把抛光后的半导体中硅半导体硅片洗干净？

标准的RCA清洗方法：

1 NH3•H2O（氨水）：H2O2（双氧水）：去离子水=1：1：5浸泡（70~80度）

2 HF：去离子水=1：20浸泡。3 HCL（盐酸）：H202（双氧水）：去离子水=1：1：5浸泡（70~80度）。

美国半导体清洗标准。对切割出来的硅片进行打磨、抛光。硅片的表面会有很多大小不一的、各种各样的颗粒，包括金属沫、油污等。这些颗粒是要清洗的内容。

1、加热。假设室温20℃的情况下，用加热器将清洗溶液的温度加热到80℃，这样酸碱在高温下能加快反应，得到更好的清洗效果。

2、使用超声波产生气泡，同样能够达到吸取硅片表面杂质的目的。这种情况是在温度要求不能太高的情况下使用的。

3、震动。为了让杂质不会粘贴在硅片表面上，采用一种晃动的方式，让装有硅片的篮子在清洗溶液中充分接触溶液，增加摩擦，有效去污。

有啊，比如清洗半导体硅片。随着半导体材料技术的发展，对硅片的规格和质量也提出更高的要求，适合微细加工的大直径硅片在市场的需求比例将日益加大。半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺目前世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺，使制片技术取得明显进展。最新尖端技术的导入，使SOI等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此，硅片生产厂家也增加了对300mm硅片的设备投资，针对设计规则的进一步微细化。利用超声波清洗技术，在清洗过程中超声波频率在合理的范围内往复扫动，带动清洗液形成细微回流，使工件污垢在被超声剥离的同时迅速带离工件表面，提高清洗效率。

超声波清洗方法及其放置方向

将被洗研磨硅片水平状放置在清洗槽底部上方栅栏状的石英棒框架上，在确保清洗槽内具有去离子水高度并不断流动的条件下，利用设在清洗槽底部的超声波振子进行清洗，超声波频率为40KHz，每5分钟将研磨硅片翻一个面，连续超洗至被超洗的研磨硅片表面没有黑色污染物冒出止。超声波清洗单晶硅片装置清洗槽的槽壁上设有进水口和出水口，槽底部下方设有超声波振子，清洗槽槽内设有一搁置单晶硅片的框架，框架底壁为栅栏状的石英棒形成的平面低于去离子水水平面，整个框架由支撑脚支撑在清洗槽内。

具体实施时，石英棒距离清洗槽的底壁为15厘米。清洗时，单晶硅片可以平置在石英棒上，将现有的竖超洗改成平超洗，消除了单晶硅片在竖超洗状态下，污染物会残留堆积在硅片表面，形成局部区域清洗不干净，以及承载硅片的软体花篮会吸附和阻挡掉超声波源的传递，从而造成硅片表面局部区域清洗不干净的现象，具有结构更简单、用水量大大减少的优点。

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