工程管理
事务职 班长 管理 *** 作工;提高设备生产效率;工程师与 *** 作工之间沟通及命令下达
Eng'r *** 作文件的提高说明;减少和解决生产中的事故与问题;改良产品质量,提高良率
工程管理 Opr Operator *** 作检查和分析的机器;提高设备的生产效率;报告生产中的事故和问题
工程技术 DIFF Eng'r 估算生产能力;确立/计算投资成本;产品选择/产品评估/质量提高;提高质量指标及生产效率;减少/防止工程事故/工程问题
工程技术 Etch Eng'r 制造半导体工程中Process Set-up;管理装备;提高工程质量;降低成本;提高生产率
工程技术 Photo Eng'r 生产线监控,提高产能,提高良率,编写Scanner, Track, Overlay,CD-SEM的Job File,提高光刻工艺宽容度,解决工艺问题
Tech 管理光刻reticle和光刻胶,向装备输入程序recipe,解决简单工艺问题
工程技术C&C Eng'r 对产品问题和缺陷进行分析,找到产生缺陷原因,并决定消除缺陷和改善产品质量应该采取的措施,以提高产品良率。
工程技术T/F Eng'r 制作产品说明和规格文档;提高工程质量,最优化工程以提高产量
人事 社规管理/福利厚生 为了有效运营人力资源,制定各项制度及改善,并支援福利
人事评价/职务/晋升 员工的人事评价(业绩,能力评价),实施定期晋升, 职责任命
劳务管理/奖惩/苦衷 劳资情报的收集/维护劳资双方的平衡,监督职的任命, 奖励/惩戒的有效运营,提高员工的工作积极性及强化员工的基本遵守
ER Manager 中方人员的人事管理总负责 (劳务管理,奖励,惩戒,评价,出勤,工资等)
教育/评价管理 负责员工入门、技术、在职培训及其他预言培训,树立每年培训计划及预算及进行等
自动化 Eng'r Eng'r Infra System, 软件应用和AMHS系统的开发与性能分析
自动化 Tech Tech Infra System, 软件应用和AMHS系统的维护
装备技术 DIFF Tech TPM活动;提高设备的工作速度;设备安装及重置;贯彻执行FDC以及自动化生产 *** 作体系
Eng'r 确立/计算投资成本;设备安装及重置;提高设备的工作速度;最大化设备的性能和效率
装备技术 Photo Eng'r 管理并维护装备良好状态,管理Spare Part,PM计划安排,编写PM Sheet及技术规范,联系设备制造商并参加trouble分析会议,排除装备故障
Tech 执行周期性PM,常规装备故障排除,更换Spare Part,记录PM sheet
装备技术C&C 技能职 需要掌握设备组装和拆卸技能,维护设备正常运行,解除设备故障,提高产品良率
Eng'r 及时发现设备故障原因并找到解除故障方法,维护及改造设备提高其性能,提高产品良率
装备技术Etch 技能职 保养及预防活动;新旧设备的安装,设置;装备性能的提升和改善
装备技术T/F Tech 排除故障;提高机器可运作时间
Eng'r 提高工具可运作时间;降低制造成本;维护改造设备以提高其性能
制造 班长 女性,倒班,有半导体工作经验1年以上,最好是前道工艺,如光刻(Photo、黄光)、干湿腐蚀(Etch、蚀刻)、扩散(Diffusion)、注入(IMP)、CVD,PVD(溅射)、CMP等,有班组长经验者优先。负责带班管理区域内 *** 作员工,完成生产任务。
教育担当 女性,有半导体工作经验1年以上,最好是前道工艺,如光刻(Photo、黄光)、干湿腐蚀(Etch、蚀刻)、扩散(Diffusion)、注入(IMP)、CVD,PVD(溅射)、CMP等,有班组长经验者,有多种 *** 作证者优先,有半导体作业教育经验者、懂韩语者优先,能够倒班。负责新进作业员的教育培训和作业员的技能训练的计划、组织和实施。
资材及HOT 资材,正常班,男女不限,熟悉半导体前道生产用小工夹具,能吃苦,懂英语或韩语,负责净化间内生产用工夹具,防尘服等管理;HOT ,女,倒班,跟踪优先批流通并保证进度完成,熟练使用EXCEL软件。
Operator 女性,倒班,能吃苦,懂简单的英语和计算机知识,有半导体工作经验者优先,最好是前道工艺,如光刻(Photo、黄光)、干湿腐蚀(Etch、蚀刻)、扩散(Diffusion)、注入(IMP)、CVD,PVD(溅射)、CMP等。负责 *** 作机器,服从分派,完成生产任务。
Part长/先任班长 Part长:正常班,有5英寸以上半导体前道工艺工作经验5年以上,有生产主管工作经验或同等管理经验。熟练使用英语,和办公软件,负责区域内各班次生产管理,管理Supervisor和shift leader;shift leader :倒班,负责整条生产线的生产平衡和调配管理,管理supervisorSupervisor:,倒班,有半导体工作经验2年以上,最好是前道工艺,如光刻(Photo、黄光)、干湿腐蚀(Etch、蚀刻)、扩散(Diffusion)、注入(IMP)、CVD,PVD(溅射)、CMP等,有班组长经验者优先,负责管理各区域内生产事项,管理班长。
Technician 日常监控、确认,dummy wafer管理,日常小故障的处理
制造企划 事务职 制造企划投资管理
采购 部品采购 设备零件需给及维修
原材料采购 原材管理安定化(交货期管理及请购)
设施采购 辅资材需给及实物管理
总务 福利厚生(食堂) 餐厅管理
接待担当 来访人员的行程管理、及计划管理
接待担当者 来访人员具体接待工作的实施
通信/广播担当者 通信交换机服务器,VOICEMAIL, PAGING STSTEM (软硬件)维护,广播系统,专业英语流利(听说读写),管理通信Maint,通信Operator和广播Maint,会管理及评估通信工程.
通信Maint 通信线路维护、检修及正常运行
通信Ope'r 接线员,内外电话查询、转接等
设施维护 厂房基础设施(地板、照明、水、等)的日常维护及保养
Show-room担当 展厅的管理,及公司介绍
舍监 宿舍管理
设备Eng'r 空调Part 要求工厂空调设备运维经验(冰水主机Chiller,中央空气处理系统,热锅炉,泵,风机等) 优先: 净化间设备运维( 超净间空气处理单元,洗气塔,过程冷却用水,超纯水)
排管/UT Part 工厂排管设备施工(水系统,压缩气体系统,超纯水系统)
电气Part 通过厂内电气设备的运行管理及维护活动 以及新增,补加电气设备施工计划的实施,维持电力供应的稳定性,支援生产活动的圆满成功
设备Tech 空调Part 机械装备的点检及维护.有机械设备的相关知识及经验.
排管/UT Part 热输送网的点检及维护.有配管设备的相关知识及经验.
电气Part 进行电气机器的点检,配电机,电气控制,装备的运行,电气设备的安装,调整,修理 .有电气的知识
财务会计 成本 成本核算、成本分析、熟悉ERP系统
会计总体业务 提供公司各种报表及数据,并定期提出相关分析报告
国税/地税 税务及出口退税流程、纳税申报及其相关的会计核算、和税务相关部门联系
财务 应收/应付/固定资产 相关业务
资材 化学品管理 原材管理安定化 (交货期管理及请购)
SPARE PART 设备零件需给及维修
副材料管理 辅资材需给及实物管理
进出口通关 原材料通关 及时、无障碍得完成料件的清关,确保资财的库存量
设施再通关 Managing the whole progress involved with Local flow of Imported &Exported Goods;1. Clear the imported goods through the customs and CIQ 2. Prearrangement for Import and export
ESH 保健 职员健康检查, 职业病预防.管理, 运营附属医院, 作业环境检测/改善管理, 促进健康活动,
安全消防 气体安全管理, 有害危险器材管理, QUAL/安全改善活动, CMS室/建立急救应急小组, 消防设施.危险品管理, MSDS管理, 消防/安全施工管理/监督,灾害调查/统计分析
ESH企划 ESH 确立战略, ESH 运行经营系统, ESH 教育/公关业务, ESH 投资/预算管理,部门人力企画/管理,法定许可证总括
ESH技术 净 · 废水厂的施工管理/监督,危险物/节约用水,预防环境事故,废弃物的管理,大气污染源管理/改善活动,毒性/土壤/噪音管理,环境范围许可证
IT 程序开发 GW/EMAIL的日常维护管理
OA 运营/PC 保安 PC/Printer/NB等电算设备日常维护及PC保安管理
SAP 开发 SAP二次开发
SAP 运营 SAP维护管理
System 运营 Server维护管理
MI 事务职 班长 监测设备的温度、压力等状况,属于 *** 作工的一种.
MI Eng'r Engineer 检测工艺生产过程的颗粒、缺陷;测量厚度,电阻和应力等; 分析工艺上产生该问题的原因; 采取措施及时弥补并解决问题。
Technician 采取措施来维护装备性能对设备的精确性和可靠性进行维护。
QC Supervisor 1.支持协助质量工程师执行质量程序和政策 2.报告FAB的质量状况 3.鉴别检查的缺陷并在质量报告中做出指示算机 *** 作能力,懂英语或韩语 4.收集缺陷样品并向相关部门报告 5.协助质量经理监管质量 *** 作工 6.要有良好的沟通能力和计
Operator 职责:1.负责产品检验和完成质量纪录 2. 收集和保存质量检测数据 3.维护及控制在线的所有检验文件及纪录
要求:1. 由显微镜 *** 作经验 2. 有产品检验工作经验 3. 有净化室工作经验者尤佳
企划 企划 整体协调公司各部门业务,处理跨部门协作综合事项;制定公司经营计划。
对外关系 与政府机关部门建立并维持良好关系,争取政府机关对公司的各方面协作与支持。
法务 组织各部门合同审查,收集并转交专业意见;公司合同整理归档、保管。
宣传 收集新闻,部门采访,设计并制作公司社刊,对外宣传。
Hynix 海力士晶片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代记忆体,2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。
基本介绍公司名称 :海力士 外文名称 :Hynix 总部地点 :韩国 经营范围 :半导体 年营业额 :266.37亿美元(2018年) 缩写 :HY 世界500强 :第442名 (2018年) 年利润 :94.14亿美元(2018年) 历史沿革,市场概况,市场地位,市场前景,发展过程,企业事件, 历史沿革 海力士为原来的现代记忆体,2001年更名为海力士。 海力士 2012年更名SK hynix。 海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。2012年2月,韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家记忆体大厂。 市场概况 市场地位 在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位,中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处,共有员工15000人.海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施,通过半导体,竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。 市场前景 海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础,每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外,海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率,2006年更创下半导体行业世界第七位,步入纯利润2万亿韩元的集团等,正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力,完成其使命,同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业,将尽心尽责,全力以赴。 发展过程 2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元,此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。 2013年09月4日下午3:30左右,无锡Hynix厂房起火,原因未知。 2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix,更名SKhynix。 2009年05月 成立中国无锡市后续工程合作社 04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM 03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证 02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM 01月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模组为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。 2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM 11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM 08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工 世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM 为引进崭新而创新性NAND快闪记忆体存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大 05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案 04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2 02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM 01月 签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程式上进行合作的契约 2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证 2007年12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes) 11月WTO做出判决海力士进口晶片相关报复性关税一案,日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协定,获得对 1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证,业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM 10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证契约与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的契约 09月以24层叠晶片(stacked chips),世界最先开发NAND快闪记忆体MCP 08月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM 07月发表企业中长期总体规划 05月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证 04月DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率 03月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表“生态标记(ECO Mark)”与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应契约 与SanDisk就特许商户许可证契约达成协定及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)金钟甲就任新任 代表理事、社长 01月开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模组 2006年创下最高业绩及利润 2006年12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模组,开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM 10月创下创立以来最高业绩,通过海力士ST半导体(株)的竣工,构建国际性生产网路 09月300mm研究生产线下线 03月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证 01月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计画(快闪记忆体驱动器内置的新型DiskOnChip) 2005年12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM 11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM 07月 提前从企业重组完善协定中抽身而出 04月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼 03月 发布2004年财务报表,实现高销售利润 01月 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协定 2004年11月 与意法半导体公司(STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协定 08月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协定 07月 获得公司成立以来最大的季度营业利润 06月 签订非记忆体事业营业权转让协定 03月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证 02月 成功开发NAND快闪记忆体 2003年12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU 08月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。 07月 宣布在世界上首次发表DDR500 06月 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证 05月 采用0.10微米工艺技术投入生产,超低功率256Mb SDRAM投入批量生产 04月 宣布与STMicroelectronics公司签定协定合作生产NAND快闪记忆体 03月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM 2002年11月 出售HYDIS, TFT-LCD业务部门 10月 开发0.10微米、512MB DDR 08月 在世界上首次开发高密度大宽频256MB的DDR SDRAM 06月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户 03月 开发1G DDR DRAM模组 2001年08月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM 08月 完成与现代集团的最终分离 07月 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’ 05月 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’ 剥离网路业务‘Hyundai Neorks’ 03月 公司更名为“Hynix半导体有限公司” 2000年08月 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’ 04月 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Auto’ 1999年10月 合并LG半导体有限公司,成立现代半导体株式会社 03月 出售专业的半导体组装公司(ChipPAC) 1998年09月 开发64M的DDR SDRAM 1997年05月 在世界上首次开发1G SDRAM 1996年12月 公司股票上市 1989年11月 完成FAB III 09月 开发4M的DRAM 1988年11月 在欧洲当地设立公司(HEE) 01月 开发1M的DRAM 1986年06月 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical” 04月 设立半导体研究院 1985年10月 开始批量生产256K的DRAM 1984年09月 完成FAB II-A 1983年02月创立现代电子株式会社,公司概要展望商业领域主要历程可持续经营,持续经营报告书伦理经营,伦理经营宣言伦 理纲领组织介绍实践体系产业保全方针线上举报公司标志 企业事件 2013年9月4日下午3点半左右,无锡新区海力士公司的生产车间发生气体泄漏,引发车间屋顶排气管洗涤塔管道的保护层着火。无锡消防200多名官兵赶至现场扑救,截至当日18点,明火已全部扑灭。从车间疏散出人员中,1人受轻微外伤,另有10余人去医院进行呼吸道检查,均无大碍。火灾发生后,无锡市委主要领导作出批示,市 *** 和无锡新区领导第一时间赶赴现场组织开展灭火救援,市环保部门迅速组织对企业周边环境、空气品质情况进行检测。火灾原因仍在调查中。 2013年9月初发生在无锡新区SK海力士的一场大火已经过去了几个月,这场大火尽管没有人员伤亡,但其影响却很大,比如在国内晶片市场和保险市场方面。 昨日(12月19日),有险企人士向《每日经济新闻(微博)》记者透露,SK海力士大火报损约10亿美元,保险业估损将达9亿美元,这将是国内最大的一笔保险赔案。 据《中国保险报》此前报导,SK海力士5家承保公司中各自的份额分别为:现代保险占比50%,人保财险占比35%,大地保险、太平洋产险、乐爱金财险各占5%。 上述险企人士进一步介绍称,该案件各家保险公司基本上都办理了再保险,主要涉及的再保险公司包括:韩国再保险、瑞士再保险、慕尼黑再保险等,而这个案例会影响到直保和再保险财险公司的承保利润,同时也将会导致半导体行业来年费率以及再保险费率的上涨。 SK海力士大火的首席承保人是韩国现代财险,国内的人保财险和太平洋产险等13家公司都险都参与其中。SK海力士火灾的最终赔付金额已确认在9亿美元,这是国内保险史上的最大一笔理赔案。江苏省保监局保险财产保险监管处处长王雷介绍,现在的进展情况是正在运行之中,已经预付了大约3亿美金。13家大型保险公司都在为这起火灾承担赔付,这也将推高今年企业财产险的相关保费。 2018年5月31日,中国反垄断机构对三星、海力士、美光位于北京、上海、深圳的办公室展开突然调查,三大巨头有碍公平竞争的行为以及部分企业的举报推动了中国反垄断机构发起此次调查。 根据美光、三星、海力士财报统计,2017财年,三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元,总计446.8亿美元,同比2016财年的321亿美元增长39.16%。
Hynix是海力士芯片生产商,源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代内存,2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。
海力士半导体(中国)有限公司是由全球半导体领头企业之一的韩国SK海力士株式会社于2005年4月投资设立的半导体制造工厂,主要生产12英寸半导体集成电路芯片,应用范围涉及个人电脑、服务器、移动存储等领域。
海力士半导体(中国)有限公司在锡进行了多次增资及技术升级,累计投资额达105亿美元。公司一直致力于打造世界第一的半导体生产基地,与此同时,认真履行企业的社会职责,积极参与公益事业,为社会谋求福利。
扩展资料:
产品介绍
2008年11月,SK海力士发表了1Gb GDDR5 Graphics DRAM。新发表的1Gb GDDR5是以SK海力士的54nm处理技术为基础所开发的产品。
1Gb GDDR5 实现了7Gbps的速度或28GB/s的处理量,较5Gbps的66nm GDDR5改善了40%,与此同时, 1Gb GDDR5利用1.35V的观点装置,在设计上将耗电量降低。SK海力士还支援高性能及主流市场用GDDR3、DDR3、DDR2产品。
SK海力士的DDR3 SDRAM属于高性能,低耗电量产品。DDR3 SDRAM能够以最大1.6Gb/s的速度传送数据,运行电压为1.5V。目前,SK海力士提供具有1Gb及2Gb集成度高的高性能DDR3,4Gb产品已于2012年投入量产
参考资料来源:sk海力士半导体官方网站——公司介绍
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