关于pn半导体的疑惑

p型和n型si的划分是以杂质掺杂以后的载流子类型划分的,如果是空穴导电为p型,电子导电为n型

当pn结正向接通的时候(p-si接正电位),在电场作用下n-si的电子被吸向正极,p-si的空穴被吸向负极形成电流.

如果pn结反接(n-si接正极),此时反向偏压阻止载流子的流动,故pn结不能形成电流流动.

这仅是很粗略的大致的解释,

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补充:加反向偏压时有很小的反向漏电流,大小是一个恒定值.

反压时加强了pn结势垒区的内建电场,更强地阻止了多子载流子的流动.这时反向电流是由p、n区的少子漂移形成，由于少子的数量级比多子少许多数量级，所以反向电流比正向电流少很多，近似处理可以认为反向不导通。

PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。

在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。

在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。

扩展资料：

相关特性：

从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区结负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。

而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。

当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧增大。

这就是PN结的特性（单向导通、反向饱和漏电或击穿导体），也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。

参考资料来源：百度百科－PN结