华为芯片将实现量产，此技术将改变全球半导体格局

#谣零零计划#你敢封锁芯片，我就让你倒退一百年，谁说我们造不出芯片的，就在最近，国产芯片制造领域，再次传来重磅消息，我只想说：在这个世界，没有中国人干不成的事！对吗？您认同我说的话吗？请在评论区写上中国加油四个字！这段视频，您一定要看完，整个过程绝对让你为之震惊！有人就说了，没有光刻机怎么造芯片？谁代工的啊？

我知道各位都不傻，芯片的组成部分来自于光刻机，对吧！造一台高端光刻机，那是举倾国之力啊，各位，但不代表我们没有光刻机，就算7NM制程工艺咱用不上，14NM的制程工艺能用上吧！我告诉你还真就可以，就在2022年的第6天，华为传出重磅消息，根据业内人士透露，华为推出两款芯片，分别为麒麟830和麒麟720两款，均采用中芯国际14NM制程工艺。请你不要小看这款芯片！

这是华为自主研发的，双芯叠加技术专利，这款芯片将搭载华为自主研发生产的5G基带，因为有特色，才有推出它的意义，不要忘了，全球仅此一款，这是唯一具有中国人血脉的品牌，在当今世界，还没有任何一个国家能够独立完成这项技术。

兄弟，自从台积电停止芯片供应，华为腹背受敌，满身伤痕，明明可以选择躺平，向国外企业妥协，交出5G技术，这样还能换来更好的生存环境，反观华为偏偏选择不信命，任正非说过，我们要艰苦奋斗，打出一个未来30年和平，让任何人不能欺负我们！就这个消息，是台积电最不想看到的！

张忠谋多次发声，建议国内企业，应该专注芯片设计，台积电又称，在芯片制造工艺上，我们已经领先了五年，看似好心的提醒，不想让内地企业，去触碰这个这个市场。有人就说了，人家都5NM3NM了，我们有必要坚持技术倒退嘛？

我们并非技术倒退，就算没有高端制程工艺，反观华为的双芯叠加技术，也会带来不小的进步，说不定这就是时代所趋，你所理解的越小越好，但事实并非如此，因为性能才是衡量他们唯一的标准。就算离别人7NM5NM还有些距离，但至少这一种威慑力，今天的我们，不要只盯着国产芯片的落后，我们应该感到庆幸，感到自豪，难道不是嘛？5G手机已经解决了，2022年将推出mete50系列，搭载5G麒麟芯片，年底发布P60手机，全面实现国产化！价格绝对贵不到哪去！支持国产，支持民族品牌，此生无悔入华夏，来世还做中国人！

华为新专利引各国热议

据报道，华为宣布成功拿下了石墨烯晶体管专利，该专利还涉及了半导体领域，而这些技术的出现标志着中国在芯片研究领域进入了一个新的阶段。

石墨烯晶体管在石墨烯芯片研发上更是起着至关重要的作用，它能够提高电子的传输速度，同时有效增加芯片元件和器件的输出电阻，从而最大限度地提高射频性能。并且石墨烯芯片其独特的结构可以让雕刻呈现立体样式，这也极大地增加了芯片性能，现在华为宣布这项技术专利申请成功，无疑是国产芯片一个崭新的开始。

石墨烯芯片意义重大

石墨烯芯片的出现很可能将会彻底推动我国在半导体芯片研发中更进一步，而这种技术被我国掌握，也将会成为我国与美国 科技 对决中的一个“重大武器”。要知道目前市面上最常见的传统芯片遵循着一个定律——摩尔定律，早在半导体芯片研发之后，研发芯片的工程师曾经出过预言，日后每隔18-24个月，集成电路上可容纳的元器件的数目增加一倍，性能也将提升一倍。

这一预言对于传统芯片来说好比是一个诅咒，这意味着当集成电路上可容纳的元件数目达到一定数值时，传统芯片便很难有发展的前景。而随后石墨烯晶体的发现给人们提供了一个新的思路，但将想法变为现实的过程十分艰难，美国截至目前为止依旧没有攻破这一技术。

半导体芯片将迎来改革

现如今中国除了已经掌握石墨烯技术外，2020年5月北大团队制造出了纯度高达99.99%的碳纳米管阵列，其运转速度相较国外更快、耗能更低，相比较之下整整减少了三成耗能。据悉，碳纳米管阵列因为其优秀的性能，可以在更多的领域应用，不仅在人工智能、卫星定位等方面可以起到重要作用，同时在医疗设备、国防 科技 方面也有很大的用处。

有专家预测这种载流子迁移率和稳定性更高的碳纳米管阵列很可能将会取代传统的硅晶片，而石墨烯材料的出现更是为中国芯片铺垫了基础，届时中国势必会成为该领域的领头羊。

虽然我国在芯片技术制造工业中与美国还有不可逾越的鸿沟，但是我国芯片研发技术一直名列前茅，此次华为成功掌握石墨烯晶体管制造技术，也进一步证明我国完全有实力反超美国，现在所需要的只是时间。相信随着越来越多技术的突破，中国在芯片制造业也会取得进展，届时我国将会建立属于自己的芯片产业链，美国也无法再利用同样的手段限制中国。

华为已开始从 IGBT 厂商挖人，自己研发 IGBT 器件。凭借自身的技术实力，华为已经成为 UPS 电源领域的龙头企业，目前占据全球数据中心领域第一的市场份额。IGBT 作为能源变换与传输的核心器件，也是华为 UPS 电源的核心器件。

目前华为所需的 IGBT 主要从英飞凌等厂商采购。受中美贸易战影响，华为为保障产品供应不受限制，开始涉足功率半导体领域。目前，在二极管、整流管、MOS 管等领域，华为正在积极与安世半导体、华微电子等国内厂商合作，加大对国内功率半导体产品的采购量，但在高端 IGBT 领域，由于国内目前没有厂家具有生产实力，华为只能开始自主研发。

碳化硅和氮化镓是未来功率半导体的核心发展方向，英飞凌、ST 等全球功率半导体巨头以及华润微、中车时代半导体等国内功率厂商都重点布局在该领域的研究。

为了发展功率半导体，华为也开启了对第三代半导体材料的布局。根据集微网报道，华为旗下的哈勃科技投资有限公司在今年8月份投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股 10%，而山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。相对于传统的硅材料，碳化硅的禁带宽度是硅的 3 倍；导热率为硅的 4-5 倍；击穿电压为硅的 8 倍；电子饱和漂移速率为硅的 2 倍，因此，碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件。

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