SLC全称为Single-LevelCell,单层单元闪存。SLC为NAND闪存架构,其每一个单元储存一位数据,但是SLC生产成本较高,晶片可重复写入十万次。SLC的特点是成本高、容量小、速度快
MLC 全称为Multi-Level Cell,多层单元闪存,MLC通过使用大量的电压等级,每一个单元储存两位数据,数据密度比较高。MLC的特点是容量大成本低,但是速度相较于SLC更慢。
TLC全称为Triple-cell-per-bit,由于采用三层存储单元,因此可以以较低的成本实现更大的容量。现主流的SSD多数都采用最新的3D NAND闪存堆叠技术,基于该技术可打造出存储容量比同类NAND技术高达数倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量,进而带来很大的成本节约、能耗降低,以及大幅的性能提升。东芝已研发96层3D BiCS FLASH存储单元。
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),约10万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,约3000---10000次擦写寿命
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,约500-1000次擦写寿命。
3 bit MLC是三星的叫法,理论上可以视为TLC。三星由于在半导体上游的优势和先进的技术,所以三星的3 bit MLC比一般的TLC寿命要好得多!
请注意,以上只是纯理论,看看就行了!!!
至于选择什么样的SSD,要从SSD的发展来看。最开始的SSD是SLC芯片,寿命高但是价格更高,根本就没法普及;后来MLC芯片的SSD上市,因为价格便宜了,所以一般家庭用户用的起了,当然相比SLC芯片,MLC的性能也不错,所以SSD在这个时期得到了飞速的发展,其中最著名的就是三星的830、美光的M4;从2012年开始,一些技术牛的厂商开始尝试TLC芯片的SSD,代表性的产品就是840,因为性能不错,寿命够用
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