半导体的四个特性是什么？

半导体的四个特性：电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。

1833年，法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。通常情况下，金属的电阻随温度升高而增加，法拉第发现硫化银的电阻随着温度的上升而降低。这是人类首次发现的半导体现象。

1839年，法国科学家亚历山大·贝克雷尔（Alexandre Edmond Becquerel）发现了光伏现象。那是一个半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生电压，这是半导体的第二个特征。

1873年，英国科学家史密斯（W.Smith）发现了硒晶体材料在光照下电阻减弱的现象，这是半导体第三个特性。

1880年，半导体的霍尔效应被发现。

1874年，德国的布劳恩（Ferdinand Braun）发现了硫化物半导体的整流效应。同年，氧化铜的整流效应也被发现。

组成芯片的材料就是半导体，半导体介于导体与绝缘体之间，半导体有三大效应：

1、电阻效应：电阻值会随温度变化而变化，例如加热后导电。

2、光电导效应：电阻值会随光照强度变化而变化，例如光照后导电。

3、整流效应：半导体仅特定方向导电。

正是这三个效应使得半导体制成的晶体管能够将讯号电流放大，以及控制电流按特定方式通过，所以常被用作放大器或电控开关。当工厂将半导体材料制作成晶体管，然后封装在小小的硅片上时，这就是芯片，也被叫做集成电路。在看新闻、买基金产品的时候，看到的“半导体”，可以用于指材料，也可以用于指代芯片或整个产业。

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