对于一种未掺杂的半导体纳米材料,为什么制备条件不同可以发出不同的荧光

荧光是由于受激发，能量释放的一种途径，半导体材料分U和N型半导体，纳米微粒制备中由于条件不一样，晶核生长也不一样，微粒的晶型会有很大区别，或者哪一类晶型占主要，这个也是不一样的，所以纳米实验一定要有可重复性，另外，纳米颗粒粒径的大小也会影响荧光颜色，这个就是缺陷和空穴之类的原因，你可以看看jacs里面的文献，有做GeSe类的，基本的色彩都做出来了，主要是掺杂的物质和量，但是粒径也需要考虑的。

从这个意义上说，所有的半导体，只要激发光能够激发起来，都能够发出荧光。带间跃迁产生的荧光波长基本上与带隙成反比，如果单位采用纳米和电子伏，乘积为1240左右。GrasaVampiro(站内联系TA)CdS，等荧光粉物质rava(站内联系TA)发光共轭聚合物（也称导电高分子）应该也可以归到此类。loujilong(站内联系TA)Originally posted by exciton-wu at 2009-10-15 15:21:一般来说，荧光就是在光激发下，样品能够发光。从这个意义上说，所有的半导体，只要激发光能够激发起来，都能够发出荧光。带间跃迁产生的荧光波长基本上与带隙成反比，如果单位采用纳米和电子伏，乘积为1240左右。 大哥，给举个例子行吗？exciton-wu(站内联系TA)比如GaAs，带隙1.4eV，发光850－870nm，ZnSe，带隙2.6－2.7eV，带边发光在460nm到470nm。ZnO带隙3.2eV，带边发光380nm，CdS 带隙2.5eV，带边发光约500－520nm。比如GaAs，带隙1.4eV，发光850－870nm，ZnSe，带隙2.6－2.7eV，带边发光在460nm到470nm。ZnO带隙3.2eV，带边发光380nm，CdS 带隙2.5eV，带边发光约500－520nm。

荧光产生的原理：

　

　光照射到某些原子时，光的能量使原子核周围的一些电子由原来的轨道跃迁到了能量更高的轨道，即从基态跃迁到第一激发单线态或第二激发单线态等。第一激发单线态或第二激发单线态等是不稳定的，所以会恢复基态，当电子由第一激发单线态恢复到基态时，能量会以光的形式释放，所以产生荧光。

另，荧光是物质吸收光照或者其他电磁辐射后发出的光。大多数情况下，发光波长比吸收波长较长，能量更低。但是，当吸收强度较大时，可能发生双光子吸收现象，导致辐射波长短于吸收波长的情况发生。当辐射波长与吸收波长相等时，既是共振荧光。常见的例子是物质吸收紫外光，发出可见波段荧光，我们生活中的荧光灯就是这个原理，涂覆在灯管的荧光粉吸收灯管中汞蒸气发射的紫外光，而后由荧光粉发出可见光，实现人眼可见。

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