半导体薄膜主要有外延生长的Si单晶薄膜和CVD生长的掺杂多晶硅薄膜、半绝缘多晶硅薄膜。
绝缘体薄膜主要有氧化硅薄膜、氮化硅薄膜等。
金属薄膜主要有Al、Au、NiCr等的薄膜。
工艺中用到的薄膜技术光刻胶薄膜。
镀膜工艺一般是PVD和CVD。PVD:物理气相沉积。通过plasm轰击金属靶材(金靶,铜靶,Al,Cr.....),金属原子脱离靶材,落在wafer表明,形成薄膜。CVD:化学气相沉积。这个是通过化学反应,在晶圆表面张氧化薄膜。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
半导体薄膜主要有外延生长的Si单晶薄膜和CVD生长的掺杂多晶硅薄膜、半绝缘多晶硅薄膜。
绝缘体薄膜主要有氧化硅薄膜、氮化硅薄膜等。
金属薄膜主要有Al、Au、NiCr等的薄膜。
工艺中用到的薄膜技术光刻胶薄膜。
镀膜工艺一般是PVD和CVD。PVD:物理气相沉积。通过plasm轰击金属靶材(金靶,铜靶,Al,Cr.....),金属原子脱离靶材,落在wafer表明,形成薄膜。CVD:化学气相沉积。这个是通过化学反应,在晶圆表面张氧化薄膜。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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