rbe的计算公式是什么？

rbe=300+(1+β)26mV/Ieq=300+26mV/Ibq（Ibq、Ieq为基极、发射极的静态电流）

此题的Av=-βRL`/[rbe+(1+β)R6]（RL`=R3//RL）

公式rbe=rbb'+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻，公式

rbe=rbb'+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β）（R7∥R8）

计算的是射随器输入电阻。

扩展资料：

共射极放大电路，输入回路与输出回路以三极 管的发射极为公共端。输入信号ui通过电容C1加到三极管的基 极，引起基极电流iB的变化，iB的变化又使集电极电流ic发生变 化，且ic的变化量是iB变化量的β倍。

由于有集电极电压，uCE= UCC-iCRC，uCE中的变化量经耦合电容C2传送到输出端，从而得 到输出电压uo。当电路中的参数选择恰当时，便可得到比输入信 号大得多的输出电压，以达到放大的目的。

参考资料来源：百度百科-共射极放大电路

rbe=rbb'+26mV / Ib(mA)=rbb'+β(26mV) / Ic(mA)，ri=rbe+β(R7∥R8）。

rbb'是基区体电阻，rbe是算上rbb'加上发射结电阻折算到基区的电阻的，注意rb'e和rbe的不同，三极管放大电路在低频和高频的分析中使用的是不同的模型，高频中使用的是混π参数，受控源受vb'e的控制，讲体电阻和结电阻分开有利于分析。

我们很早学的低频电子线路中说：工程估算一般取300欧。因为这个值一般变化不大，因为IB电流很小，而不像IE电流那么大，半导体的曲线上的点变了，呈现的阻值不一样。RBB的这个点基本上不变。

公式rbe=rbb'+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻，你们老师给的公式 rbe=rbb'+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β）（R7∥R8）计算的是射随器输入电阻。这些公式有三个错误：错误1：“26(mA)”写错了，应为26mV；错误2：射随器等放大器输入电阻不该用rbe表示，而是用ri表示；错误3：Ie/(β+1)=Ib。β+1与β相比差别很小，书写起来却很讨厌，因此β+1宜简化为β所以三极管输入电阻及射随器输入电阻公式各应该写成rbe=rbb'+26mV / Ib(mA)=rbb'+β(26mV) / Ic(mA)ri=rbe+β(R7∥R8）既简明扼要，又能保证较高的计算精度。

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