在mos管的源极和栅极之间并一个电阻,是为保护MOS的寄生电感,在电源瞬间上电时候?该如何理解呢

mos管如果G端悬空的话，会使mos管导通，造成mos管因电流过大而烧毁，加电阻的作用是拉地电阻，起到限流的作用，防止其悬空导通烧毁！

MOS管是一个ESD敏感元件，本身的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以很容易受外界或者静电影响而带电，容易引起静电击穿。

MOS管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

栅源间的过电压保护：如果栅源间的阻抗过高，则漏源间电压的突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的UGS电压过冲，这一电压会引起栅极氧化层永久性损坏，如果是正方向的UGS瞬态电压还会导致器件的误导通。为此要适当降低栅极驱动电路的阻抗，在栅源之间并接阻尼电阻或并接稳压值约20V的稳压管，特别要注意防止栅极开路工作。

漏源极间电阻的大小决定于期间多数载流子浓度，多数载流子浓度越大，电阻越小。半导体的栅极为掺杂半导体，具有PN结效应，而PN结中多数载流子浓度受到PN结间电压影响，换句话说，栅极电压会影响到PN结电阻，继而影响漏源电阻。

场效应管有三个电极，它们分别是：

栅极（Gate——G，也叫做门极）；

源极(Source——S)；

漏极（Drain——D）

场效应晶体管（Field Effect

Transistor缩写（FET））简称场效应管。

一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者

在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管。

N型导电沟道结型场效应管的电路符号。

将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路——源极输出器

栅极简称为G ,源极简称为S,漏极简称为D。

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