半导体片状材料怎么测电阻?

半导体片状材料怎么测电阻?,第1张

不同方向,不同测量接触位置和面积,电阻都不同,如果你想测量半导体的圆片的两个圆面之间的电阻,方法很简单,找两片面积大于圆片的铜板,分别与两个圆面接触,测量两个铜板之间的电阻即可,铜板的电阻对半导体不会产生影响

T352光器件封装-光器件封装工艺之--lot、wafer、bar条、die、chip的区别

光通信女人

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这是个挺有意思的话题,器件封装厂家介绍,“我们有Bar条解理和测试”时,内心常常充满了自豪,也经常会迎来参观访问者们一句“哦”。

今天国华聊几个名词,比如激光器lot、wafer、bar、die、chip都是指哪一种形态? 顺便聊下为什么激光器特有Bar条这个词。

半导体光芯片或者电芯片,最早都是一盘子做出来,在一个wafer上,或者叫晶元、晶圆。

无论是光模块里的激光器芯片、探测器芯片、驱动器电芯片,都是一盘一盘的做出来的。中间工艺有不同,设备不同,材料不同....

但都是一个圆盘子,早期小文【 [图文1]T218 半导体芯片制造流程与设备】,点击就可以链接。

国华之前小文说一盘子制作完成之后,整体用探针卡测试,把不良品标注(绿

光通信行业有个特殊的中间品,叫Bar条,这是什么神奇的东西呢。

比如,探测器芯片,可以直接给光一测有木有转成电,或者VCSEL是面发射,一盘子每个激光器加电,一测上面有没有光什么波长的光....。

FP、DFB是侧面发光,一盘子码的整齐的,侧面有没有光咱也看不到啊。咋办。

给它一条一条分开,侧面镀上膜做做端面处理,然后测试,好的坏的就可以区分。这个过程叫解理。

解理这个词是用在矿物质晶体上的,咱们光学的基本材料也是晶体啊,像掰巧克力一样,顺着纹理稍稍用力,就解开成一条条的。

“那直接掰成一块块的测试呗”

也不是不可以,羊毛出在羊身上,你让咱供应商一把把薅羊毛可以,一根一根薅羊毛也可以,用多少人费多少时间的问题呗。

能一盘盘测试,就不愿多费人力设备一条条测,能一条一条的测就不愿意一颗一颗的测。谁家的钱也不是大风刮来的。

Bar测好,再整成小芯片,这个小芯片,一颗颗的,有叫“晶粒”、有叫“chip”,也有叫“芯片或光芯片”,还有叫“管芯”...

为甚么有个管字,其实国华也没有找到确切出处, 或者可能是激光器也好,探测器也好,本质是个PN结,也就是二极管的“管”。

管它呢继续聊,做成一颗颗芯片就可以去封装成光器件了。

哦,对,咱们还有一个词,叫lot,其实一炉子(MOCVD)不只出一盘wafer,一般几盘放一起做,叫一个批次,材料的配比相同,工艺流程相同。

这同一批次叫一个lot,有些属性是通的,

做为一个自豪的底层劳动人民,劳动人民的自豪也是分层次的,自豪程度也是略有不同。

比如,越精细的越自豪:

有材料生长能力>晶圆能力>bar条测试能力>TO封装能力>OSA组装能力>光模块设计能力

越上游越自豪(甲方掏腰包的角色):

运营商>设备制造商>模块制造商>光器件制造商>芯片提供商>辅材配料商

资源越稀缺越自豪:

光芯片制造能力>电芯片制造能力>封装能力>芯片使用者

在国华的看法里,一个产业良性共同发展才是大道之理,共同把一个蛋糕做精美,无论做蛋糕的师傅、卖蛋糕的店员、买蛋糕的美女都会开心、掏腰包的大哥略忧伤。

一个良性产业各自做各自专业的事,多赢,成就的是一个大环境大氛围。

君不见相机产业链的翘楚‘柯达’不是败给竞争对手,而是败给另一个产业,手机业的崛起,使得每一个手机都成为了相机。

在同一个产业内,竞争是避免不了的,如果站在对手的角度审视自己、发现问题解决问题也是提升自身的一种途径,有序的竞争与协作是个好事情。

我家大哥在家总想欺负欺负我,树立一种权威,他多歇着我多干活,他管攒钱我管挣钱。家庭话语权这是红果果的竞争啊,可是谁敢揍一下国华,我家大哥能跟他玩儿命,这也是红果果的协作。

国华今天班了个门弄了个斧,见谅见谅。

四探针方块电阻(又叫薄膜电阻)测试仪是半导体制造中常用的检测仪器之一,用以测量半导体材料的电阻率和薄膜的方块电阻,同时达到测量半导体薄层材料的掺杂浓度和薄膜厚度、控制器件和集成电路性能的目的。

在此基础上发展起来的交流四探针方法,能够消除电接触区的热电势,但它对交流电流源和检测信号的交流放大器稳定性的要求极为严格,且仍存在接触稳定性问题。这些因素造成四探针法对于电阻值的微小变化不敏感,阻碍了仔细分析材料组织结构的微弱变化过程。

四探针测试技术

是用4根等间距配置的探针扎在半导体表面上,由恒流源给外侧的两根探针提供一个适当小的电流I,然后测量出中间两根探针之间的电压V,就可以求出半导体的电阻率。对于厚度为W(远小于长和宽)的薄半导体片,得到电阻率为ρ=ηW(V/I),式中η是修正系数。

特别,对于直径比探针间距大得多的薄半导体圆片,得到电阻率为ρ= (π/ln2)W(V/I)= 4.532 W(V/I) [Ω-cm],其中W用cm作单位。

以上内容参考:百度百科-四探针测试技术


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