(1)从乙图可知,电路中只有电阻Rr,
当温度为60℃时,由甲图可知电阻Rr=10KΩ=10000Ω,
而电源电压为U=220V,
∴电路中的电流为:I=
U |
Rr |
220V |
10000Ω |
而t=1min=60s,
∴消耗的电能为:W=UIt=220V×0.022A×60s=290.4J.
(2)从乙图可知,PTC元件的最小电阻为30℃时的电阻,Rr小=2KΩ=2000Ω,
∴PTC元件的最大电功率为:P最大=
U2 |
Rr小 |
(220V)2 |
2000Ω |
(3)①当温度达到60℃时,PTC元件发热功率等于散热功率,温度保持不变.
从图甲可以看出,当它的温度高于60℃时,PTC元件的电阻Rr增大,由公式P=
U2 |
R |
②从图甲可以看出,当它的温度低于60℃时,PTC元件的电阻Rr减小,由公式P=
U2 |
R |
故答案为:(1)22;290.4.
(2)24.2.
(3)PTC元件的电阻Rr增大,由公式P=
U2 |
R |
U2 |
R |
电荷耦合器件(CCD)是20世纪70年代初发展起来的一种新型半导体器件。
CCD是于1969年由美国贝尔实验室(Bell Labs)的维拉·波义耳(Willard S. Boyle)和乔治·史密斯(GeorgeE. Smith)所发明的。
当时贝尔实验室正在发展影像电话和半导体气泡式内存。将这两种新技术结合起来后,波义耳和史密斯得出一种装置,他们命名为“电荷‘气泡’元件”(Charge "Bubble" Devices)。
这种装置的特性就是它能沿着一片半导体的表面传递电荷,便尝试用来做为记忆装置,当时只能从暂存器用“注入”电荷的方式输入记忆。但随即发现光电效应能使此种元件表面产生电荷,而组成数位影像。
到了70年代,贝尔实验室的研究员已经能用简单的线性装置捕捉影像,CCD就此诞生。有几家公司接续此一发明,着手进行进一步的研究,包括仙童半导体(Fairchild Semiconductor)、美国无线电公司(RCA)和德州仪器(Texas Instruments)。
其中快捷半导体的产品领先上市,于1974年发表500单元的线性装置和100x100像素的平面装置。
扩展资料:
CCD图像传感器可直接将光学信号转换为模拟电流信号,电流信号经过放大和模数转换,实现图像的获取、存储、传输、处理和复现。其显著特点是:
1.体积小重量轻;
2.功耗小,工作电压低,抗冲击与震动,性能稳定,寿命长;
3.灵敏度高,噪声低,动态范围大;
4.响应速度快,有自扫描功能,图像畸变小,无残像;
5.应用超大规模集成电路工艺技术生产,像素集成度高,尺寸精确,商品化生产成本低。因此,许多采用光学方法测量外径的仪器,把CCD器件作为光电接收器。
参考资料:百度百科
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