光刻机怎么制作（最好提供图文）？

第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）芯片设计师将CPU的功能、结构设计图绘制完毕之后，就可将这张包含了CPU功能模块、电路系统等物理结构的“地图”绘制在“印刷母板”上，供批量生产了。这一步骤就是制作光刻掩膜版。光刻掩膜版：（又称光罩，简称掩膜版），是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构，再通过曝光过程将图形信息转移到产品基片上。（*百度百科）将设计好的半导体电路”地图“绘制在由玻璃、石英基片、铬层和光刻胶等构成的掩膜版上光刻掩膜版的立体切片示意图第二步：晶圆覆膜准备从砂子到硅碇再到晶圆的制作过程点此查阅，这里不再赘述。将准备好的晶圆（Wafer）扔进光刻机之前，一般通过高温加热方式使其表面产生氧化膜，如使用二氧化硅（覆化）作为光导纤维，便于后续的光刻流程：第三步：在晶圆上“光刻”电路流程使用阿斯麦的“大杀器”，将紫外（或极紫外）光通过蔡司的镜片，照在前面准备好的集成电路掩膜版上，将设计师绘制好的“电路图”曝光（光刻）在晶圆上。（见动图）：上述动图的工作切片层级关系如下：光刻机照射到部分的光阻会发生相应变化，一般使用显影液将曝光部分祛除而被光阻覆盖部分以外的氧化膜，则需要通过与气体反应祛除通过上述显影液、特殊气体祛除无用光阻之后，通过在晶圆表面注入离子激活晶体管使之工作，进而完成半导体元件的全部建设。做到这里可不算大功告成，这仅仅是错综复杂的集成电路大厦中，普通的一层“楼”而已。完整的集成电路系统中包含多层结构，晶体管、绝缘层、布线层等等：搭建迷宫大厦一般的复杂集成电路，需要多层结构因此，在完成一层光刻流程之后，需要把这一阶段制作好的晶圆用绝缘膜覆盖，然后重新涂上光阻，烧制下一层电路结构：多次重复上述 *** 作之后，芯片的多层结构搭建完毕（下图）：如果上图看的不太明白，可以看看Intel的CPU芯片结构堆栈图：当然，我们可以通过高倍显微镜来观察光刻机“烧制”多层晶圆的堆叠情况：第四步：切蛋糕（晶圆切割）使用光刻机烧制完毕的晶圆，包含多个芯片（Die），通过一系列检测之后，将健康的个体们切割出来：从晶圆上将一个个“小方块”（芯片）切割出来第五步：芯片封装将切割后的芯片焊

组成不同、作用不同、制作方式不同。1、作用不同：芯片可以封装更多的电路。增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能。集成电路所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方答面迈进了一大步。

演示机型：华为MateBook X

系统版本：win10

组成不同、作用不同、制作方式不同。

1、组成不同：芯片是一种把电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。集成电路是一种微型电子器件或部件。

2、作用不同：芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能，见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每1.5年增加一倍。集成电路所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方答面迈进了一大步。

3、制作方式不同：芯片使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。集成电路采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内。

芯片制造过程：光刻、刻蚀、薄膜(化学气相沉积或物理气相沉积）、掺杂（热扩散或离子注入）、化学机械平坦化CMP。

使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。

因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主参见Damascene）。主要的工艺技术可以分为以下几大类：黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成。

扩展资料

芯片具有体积小，重量轻，引出线和焊接点少，寿命长，可靠性高，性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收录机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。

用芯片来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。

参考资料来源：百度百科-集成电路

参考资料来源：百度百科-芯片

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