半导体材料有:
在元素周期表的ⅢA族至IVA族分布着11种具有半导性的元素,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态;B、Si、Ge、Te具有半导性;Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。
P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解,所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属,半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。
因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。
二、无机化合物半导体:
分二元系、三元系、四元系等。二元系包括:
1、Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。
2、Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成,典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。
3、Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物,是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。
4、Ⅰ-Ⅶ族:Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物,其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。
5、Ⅴ-Ⅵ族:Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的温差电材料。
6、第四周期中的B族和过渡族元素Cu、Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。
7、某些稀土族元素Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。
三、有机化合物半导体:
已知的有机半导体有几十种,熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等,它们作为半导体尚未得到应用。
四、非晶态与液态半导体:
这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。
半导体材料的特点及优势:
半导体材料是一类具有半导体性能,用来制作半导体器件的电子材料。常用的重要半导体的导电机理是通过电子和空穴这两种载流子来实现的,因此相应的有N型和P型之分。
半导体材料通常具有一定的禁带宽度,其电特性易受外界条件(如光照、温度等)的影响。
不同导电类型的材料是通过掺入特定杂质来制备的。杂质(特别是重金属快扩散杂质和深能级杂质)对材料性能的影响尤大。
因此,半导体材料应具有很高的纯度,这就不仅要求用来生产半导体材料的原材料应具有相当高的纯度,而且还要求超净的生产环境,以期将生产过程的杂质污染减至最小。
半导体材料大部分都是晶体,半导体器件对于材料的晶体完整性有较高的要求。此外,对于材料的各种电学参数的均匀性也有严格的要求。
(一)(1)冷凝管,起冷却回流作用;(2)可用MnO 2 氧化浓盐酸制Cl 2 ;(3)碱石 灰的作用一方面吸收Cl 2 ,防止污染空气,一方面防止空气中的水进入而使PCl 3 水解;(4) 因PCl 3 可被氧气氧化,与水反应,所以整个装置要除氧、除水;(二)根据表中的信息,可 通过蒸馏的方法除去PCl 3 中的杂质; (三)根据关系式PCl 3 ~H 3 PO 3 ~I 2 可求m(PCl 3 )=137.5x(c 1 V 1 -1/2c 2 V 2 )x500/25x10 -3 。 |
(2)实验室制备氯气用二氧化锰和浓盐酸加热反应生成氯化锰、氯气和水,反应的离子方程式为MnO2+4H++2Cl-
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故答案为:MnO2+4H++2Cl-
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(3)氯气有毒,污染空气,碱石灰吸收多余氯气防止污染空气,防止空气中的水蒸气进入影响产品纯度,
故答案为:碱石灰吸收多余氯气防止污染空气,防止空气中的水蒸气进入影响产品纯度;
(4)由于PCl3遇O2会生成POCl3,遇水生成H3PO3和HCl,通入一段时间的CO2可以排尽装置中的空气,防止生成的PCl3与空气中的O2和水反应;通入二氧化碳赶净空气,避免水和氧气与三氯化磷发生反应,
故答案为:排净装置中的空气,防止空气中的水分和氧气与PCl3反应;
(二)依据物质的沸点数值不同,可以利用蒸馏的方法分离出三氯化磷,故答为:蒸馏;
(三)H3PO3+H2O+I2=H3PO4+2HI;I2+2Na2S2O3=2NaI+Na2S4O6,
依据化学方程式可知H3PO3物质的量和PCl3的物质的量相同,25ml溶液中和H3PO3反应的碘单质物质的量为c1mol?L-lV1mL×10-3-
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所以250ml溶液中H3PO3物质的量=碘单质物质的量为(c1mol?L-lV1mL×10-3-
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该产品中PCl3的质量分数为
(c1V1×10?3?
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(c1V1?
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故答案为:
(c1V1?
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