陈星弼院士是谁？

　九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在四川成都逝世，享年89岁。

陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就读于同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Life Fellow）。

陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为"高压功率器件新的里程碑"。该发明专利成功转让并实现产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。

陈星弼曾获得诸多荣誉，包括国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项。2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

李肇基教授，博士导师，享受国家特殊津贴专家，四川省科技顾问团顾问。1963年毕业于（现电子科技大学）半导体专业。1963年至今在该校从事半导体和微电子学方面的科研和教学工作，多次荣获“三育人”先进个人、优秀教师等称号，其中1982年至1984年作为访问学者赴美国乔治亚理工学院工作，1984年回国后主要研究领域是新型功率器件和智能功率集成电路。指导博士生和硕士生五十余名，鉴定科技成果12项，获国家专利两项，获国家科技进步三等奖，国家发明四等奖、电子部科技进步奖等8项。在IEEE等发表论文四十余篇，被邀为国际杂志《Solid-State Electronics》审稿人。作为课题负责人之一的八·五攻关项目新型功率MOS器件于1996年11月获国家计委，国家科委和财政部联合表彰。在IEEE Trans ED（1994，No.12）等中，提出了CLIGBT有非平衡电子抽出的模型和网络模型及模型直接嵌入法。并提出一种具有键合衬底的绝缘栅场效应晶体管（IGBT），此结构可普适于电导型调制功率器件，获发明专利。用国产单晶硅材料取代昂贵的进口外延片制作IGBT。在IEEE Trans. ED（1994，No.12）提出CLIGBT瞬态响应模型。在Solid-State Electron（1991，No.3）提出功率MOS晶体管热特性分析的全热程电热模型。在Solid-State Electron（2000，No.1）中提出电导调制型功率器件的非平衡载流子非准静态抽出模型。在ICCCAS（2002 June）提出了SOI高压横向器件的新结构及其界面电荷耐压模型。

姓名： 姚素英

性别： 女

出生年月： 1947年04月

籍贯： 河北省

职称： 教授，博导

邮编： 300072

办公室电话： 27890832

手机： 81125362

家庭电话：

EMAIL： syyao@tju.edu.cn

单位： 电子信息工程学院，电子技术系

研究方向1： 专用集成电路（ASIC）设计

研究方向2： 半导体传感器及其集成系统设计（IC与MEMS结合）

研究方向3： VLSI测试、可测性设计与微电子可靠性研究

简介：

1965年到1970年 天津大学 大本 1970年毕业至今， 天津大学电子信息工程学院 ，始终从事微电子技术专业教学与科研工作。现任天津大学电子信息工程学院教授、博士生导师、天津大学ASIC设计中心主任。兼任中国电子学会半导体与集成技术分会委员、天津市集成电路设计技术培训中心主任、天津市集成电路设计公共孵化平台负责人。1997年至今任教授、2001年被聘为博导。2002年9月至2003年1月曾受国家留学基金委委派到美国德克萨斯大学奥斯汀分校（UT）做高级访问学者。

长期从事微电子教学与科研工作，培养博、硕研究生；指导博士后（已出站一名），曾获摩托罗拉奖教金。先后主持或参加国家八五、九五、国家自然基金和省市级项目。在国内外学术刊物上发表相关论文。硅光电探测器研究已实现商品化，获专利一项。

代表著作：

获专利：硅光电探测器2003年ZL03240699.1

译著：半导体物理与器件(第三版) 电子工业出版社 2005年2月第1次印刷 ISBN:7-121-00863-7

代表性论文：1 多晶硅双岛压力传感器应力分布的模拟计算 电子学报 Vol.27 No.11 EI:00095310277；2 Optimization of power dissipation in pipelined analog-to-digital converter 2004 4期 天津大学学报（英文版）Vol.10 No.4 P280-284 EI:05098865889 ；3高帧频大动态范围CMOS图像传感器时序控制电路的设计与实现2004 11期 电子学报 Vol.32 No.11 P1922--1925 EI:05048806886 ；4 Simulation and Test of a Novel SOI High Temperature Pressure Sensor ICSICT’2004 Beijing ICSICT 2004 VOLUME P1824--1827 EI:05299217792；5 CMOS图像传感器用像素级双采样存储技术 固体电子学研究与进展 2005年3期 EI: 05469477904； 6 Extraction of ULSI interconnect resistance at high frequencies 天津大学学报（英文版）Vol.11 No.3 EI:05329290370 ；7 表征ULSI低介电常数互连材料机械特性的表面波频散特性 2005年 第6期 半导体学报, Vol.26 No.10 pp.2032-2033 EI:05519604671 ；8一种低功耗高精度CMOS动态比较器设计与实现 传感技术学报 2005年 18卷 1期 EI:05409400801 ；9基于CMOS图像传感器中DPGA的电容阵列优化研究 传感技术学报 2005年 18卷 2期 EI: EI05319275711 ；10 油田测井用压力传感器的研制 传感技术学报2004年 17卷 2期 ；11 MOSFET栅下碰撞电离与击穿研究固体电子学研究与进展2004年 24卷 1期；12 多晶硅高温压力传感器的温度特性 西安电子科技大学学报 2002. Vol.29. 1；

13 TMAH在压力传感器制作中的应用 电子科技大学学报 2000年 29卷 6期；EI:01035574678 ；14 SOI单晶硅压力传感器模拟计算与优化设计 传感技术学报2003年

获奖情况：

曾获MOTOROLA奖教金

讲授课程：

主讲本科生课程：半导体物理，Si –SiO2 界面物理，主讲硕士生课程：半导体理论， MEMS理论与设计，VLSI自动测试概论 ，主讲博士生课程：高等半导体理论，MEMS与纳米技术，

正在承担项目：

1 深亚微米千万像素级CMOS图像传感器的研究 2006---2008年 国家自然科学基金 60576025 项目负责人 ；2、天津市创新基金项目：CMOS图像传感器研究与产业化与天津市集成电路设计公共孵化平台建设 2006年开始 项目负责人 3、视频格式转换芯片 2004-2006年 天津市科委 043184511 4、表面波方法研究集成电路互连布线的纳米多孔介质硬度特性 国家自然科学青年基金 60406003 5、高效纳米晶体硅量子点冷电子场致发射显示器件研究 天津市自然科学基金项目043612311

已完成项目：

近五年（2001年1月以来）完成的国家级或省部级科研项目

1 高稳定性高温压力传感器的研究 国家自然科学基金 69876027 2001-12-31 国家自然基金 委 项目负责人 2 高性能视觉半导体光电近代探测器研究 天津市科技攻关项目 023107511 2003年1月 天津市科委 项目负责人 3 高性能大动态范围CMOS图像传感器研发 天津市科委 033183911 2005年8月 项目负责人4 集成电路测试技术研究 天津市外专局引智项目 2003086 2003年 天津市人事局 项目负责人5 天津市集成电路设计技术培训中心 2003---2005年 天津市科委 033188411 项目负责人6 VLSI可测性设计与验证平台建设 2004---2005年 天津市科委 043186911 项目负责人；7 半导体高温SOI压力传感器应用研究 天津市自然科学基金项目033600811； 8新型光电器件的研究与开发 已商品化

---