对于一种未掺杂的半导体纳米材料,为什么制备条件不同可以发出不同的荧光

荧光是由于受激发，能量释放的一种途径，半导体材料分U和N型半导体，纳米微粒制备中由于条件不一样，晶核生长也不一样，微粒的晶型会有很大区别，或者哪一类晶型占主要，这个也是不一样的，所以纳米实验一定要有可重复性，另外，纳米颗粒粒径的大小也会影响荧光颜色，这个就是缺陷和空穴之类的原因，你可以看看jacs里面的文献，有做GeSe类的，基本的色彩都做出来了，主要是掺杂的物质和量，但是粒径也需要考虑的。

半导体材料的早期应用：半导体的第一个应用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极管（也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。从1907年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流器和氧化亚铜整流器。1931年，兰治和伯格曼研制成功硒光伏电池。1932年，德国先后研制成功硫化铅、硒化铅和碲化铅等半导体红外探测器，在二战中用于侦测飞机和舰船。二战时盟军在半导体方面的研究也取得了很大成效，英国就利用红外探测器多次侦测到了德国的飞机。

今天，半导体已广泛地用于家电、通讯、工业制造、航空、航天等领域。1994年，电子工业的世界市场份额为6910亿美元，1998年增加到9358亿美元。而其中由于美国经济的衰退，导致了半导体市场的下滑，即由1995年的1500多亿美元，下降到1998年的1300多亿美元。经过几年的徘徊，目前半导体市场已有所回升。

制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。

不属于。根据查询相关资料显示，荧光显微技术是利用激光作为激发光源激发荧光基团产生荧光而成像，产生的荧光波长一般与激发光不同，它与一般光学显微镜一样是场激发因而只能面成像并不属于半导体制造工艺。

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