薄膜太阳能电池的原理、结构、结构图？

上图为非晶、微晶结构图，

下面是原理1．硅太阳能电池工作原理与结构

太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应，一般的半导体主要结构如下：

图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。

当硅晶体中掺入其他的杂质，如硼、磷等，当掺入硼时，硅晶体中就会存在着一个空穴，它的形成可以参照下图：

图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子，因为硼原子周围只有3个电子，所以就会产生入图所示的蓝色的空穴，这个空穴因为没有电子而变得很不稳定，容易吸收电子而中和，形成P（positive）型半导体。

同样，掺入磷原子以后，因为磷原子有五个电子，所以就会有一个电子变得非常活跃，形成N（negative）型半导体。黄色的为磷原子核，红色的为多余的电子。如下图。

N型半导体中含有较多的空穴，而P型半导体中含有较多的电子，这样，当P型和N型半导体结合在一起时，就会在接触面形成电势差，这就是PN结。

当P型和N型半导体结合在一起时，在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层)，界面的P型一侧带负电，N型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴，N型半导体多自由电子，出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，一旦扩散就形成了一个由N指向P的“内电场”，从而阻止扩散进行。达到平衡后，就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差，这就是PN结.

当晶片受光后，PN结中，N型半导体的空穴往P型区移动，而P型区中的电子往N型区移动，从而形成从N型区到P型区的电流。然后在PN结中形成电势差，这就形成了电源。(如下图所示）

由于半导体不是电的良导体，电子在通过p－n结后如果在半导体中流动，电阻非常大，损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属，阳光就不能通过，电流就不能产生，因此一般用金属网格覆盖p－n结（如图 梳状电极），以增加入射光的面积。

另外硅表面非常光亮，会反射掉大量的太阳光，不能被电池利用。为此，科学家们给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜（如图），将反射损失减小到5％甚至更小。一个电池所能提供的电流和电压毕竟有限，于是人们又将很多电池（通常是36个）并联或串联起来使用，形成太阳能光电板。

详细请参考以下网址：http://hi.baidu.com/photovoltaic/blog/item/cb217ca821d264fb1f17a206.html

里面有好多基础资料。

12V1A，13009太浪费了，13005都绰绰有余了。你若是不怕浪费做来自己用那就没事了。因为这样余量大，发热量低，可以稍微提高点效率。

EE25也太浪费了，窗口利用率只怕80%都用不到。

你这个图，可以用反激或者RCC来做，用正激的话，多了个绕组和几个元件，也浪费了。

就这功率的话，反激才是王道。

一般我用的都是用的场管画的，

这也简单，随便帮你画个三极管的吧，但是我没实践，不过理论上工作是没问题，但是稍微有几些元件需要你自己小改调试。这样才能让这个电源工作在最佳状态。我实践过的都是场效应管的。所以这个需要你自己去调试了。

另外，那两个滤波电感可以取消不要，如需要，可以减小感量，这样的话效率高点，不然感量太大，损耗也大，不过纹波肯定会低。具体的你自己去改，我是大概标了一下。反激不需要电感储能，所以，次级的电感随便找个磁环绕上个七八圈就没问题了。

好了，你是学生吧？能帮你的就这么多了，也只有我这种人才会没事去帮你画个图，帮你实做一个测试下是不太可能了，也没人会为了网上一个不认识的人去实验下。你可以去网上多搜搜12V开关电源，应该会有别人做过实物的。

哎，帮人帮到底吧，这两个图目测可用，不过是个5V的，你只要把变压器参数按我给你的参数绕，然后把431的取样电阻搞成12V的取样，基本上就没什么问题了。注意反馈绕组同名端，有时反了的话，可能短路保护功能会不正常的。

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