本文提出了一种新的非线性模型,用于研究半导体空间电荷面(SCD)的密度。该模型改变了传统模型中电子-空穴对的参数表示,使其可以有效地描述复杂的电荷面构型。新模型基于空间电荷密度张量的定义,可以在各向同性和各向异性条件下描述SCD。使用数值模拟结果证明,该模型可以更好地描述复杂SCD结构,并且可以更准确地预测电荷面的角度和深度。实验结果表明,该模型的精度明显优于传统的线性模型,表明本文提出的模型可以在半导体物理和电子学中得到有效的应用。
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本文提出了一种新的非线性模型,用于研究半导体空间电荷面(SCD)的密度。该模型改变了传统模型中电子-空穴对的参数表示,使其可以有效地描述复杂的电荷面构型。新模型基于空间电荷密度张量的定义,可以在各向同性和各向异性条件下描述SCD。使用数值模拟结果证明,该模型可以更好地描述复杂SCD结构,并且可以更准确地预测电荷面的角度和深度。实验结果表明,该模型的精度明显优于传统的线性模型,表明本文提出的模型可以在半导体物理和电子学中得到有效的应用。
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