HYMU80 是一种具有非常高初始磁导率的FeNi软磁合金。
HyMu 80 适用于广泛的应用范围。该材料具有高磁导率和低磁滞损耗,其屏蔽特性使其成为保护电子元件免受杂散或低频磁场影响的合适选择。
HYMU80 广泛用于磁屏蔽应用,隔离电子元件免受磁干扰以获得最佳功能。
厚度范围:0.04~5.0mm
宽度:10~240mm
化学成分(标称)0.02 C、0.50 Mn、0.35 Si、80.00 Ni、4.20 Mo、Bal。铁
规格:
MIL-N-14411C 成分 1,ASTM A-753-78
密度: 8.74g/cm 3
应用
Hymu80主要用于制作变压器芯体,带绕环形线圈和迭片,以满足兼容性和重量要求。也用做屏蔽,保护电器元件不受杂散磁场的干扰。
额定电压10kV及以下屏蔽料的性能指标的典型值见表中规定 序号 测试项目 (GB标准测试方法) 单位 10kV交联聚乙烯电缆用半导电屏蔽料 YPJ-10 YPB-10 YPS-10 1 密度(23℃) g/cm3 1.06~1.16 2 抗张强度 MPa 17.5 15.0 12.6 3 断裂伸长率 % 340 37。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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