如果给半导体材料的电压超过半导体材料的带隙电子伏特的电压值，会怎样？比如 氧化锌(ZnO) 带隙约

不会怎么样……电子伏特eV是能量单位，电势差也就是电压单位是V。2者根本不能换算。不过超高压会无视导体性质发生质变，比如空气是绝缘的，在超高压雷电这种上亿伏特作用下会变成导体。不过500V还远到不了改变半导体性质的地步，所以不会怎么样

开启电压，一般称为导通电压。半导体器件导通时，要求PN结上必须施加正向电压（P正N负）值，这是因为PN结内部由于载流子的扩散和复合，PN结在P型半导体侧只有被束缚的负电荷，在N型半导体侧只有被束缚的正电荷，形成了一个空间电荷区，自然构成一个由N指向P的内建电场。该电场强度与本征载流子浓度成相反函数关系，锗材料由于原子半径大，束缚外围电子能力差，因而本征载流子浓度大于硅材料，导致内建电场强度小于硅。

若想要PN结导通，外施正向电压形成的场强大小必须首先要能够克服该内建电场，对于硅材料，克服该电场需要0.6-0.8伏，对于锗材料克服该电场需要0.1-0.3伏。这就是硅管开启电压大的原因了。

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