①测量二极管的伏安特性,显示其反向击穿电压,饱和压降,不同电压下的等效电阻等;
②测量三极管、场效应管的伏安特性,显示其放大倍数,特性族曲线,线性工作区,饱和区,截止区特性等;
③测量非线性器件的动态特性,如单结管,晶闸管等。
可以,半导体具有在不同电压下电阻不同的特性1、半导体处于导通状态,电阻非常小但根据伏安特性是有电阻存在的2、半导体处于截止状态,电阻非常大但电压加到一定程度时可以出现击穿3、半导体处于临界状态,电阻值根据伏安特性是可以计算的综上所述:半导体是可以用伏安测试仪测电阻的,只是不同状态,不同电压,正负方向电阻是不同的,所以,销售半导体的厂商,产品手册上提供伏安特性表,是一个平面坐标系.欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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