fn隧穿原理

所有的量子隧穿都有一个基本原则,那就是隧穿几率随着势垒宽度和势鱼厚度的降低呈指数增长。所有的隧穿晶体管都是利用栅压控制降低隧穿势全的宽度或厚度来工作的。隧穿几率方程中没有温度项意味着以隧穿为基础的器件的亚阈值斜率不受载流子热分布控制。

用FN振荡电流的极值，测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法。利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程，方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表达式.我有这方面的一个资料。有效质量并不代表真正的质量，而是代表能带中电子受外力时，外力与加速度的一个比例系数（在准经典近似中，晶体电子在外力F*作用下具有加速度a*，所以参照牛顿第二定律定义的m*=F*/a*称作惯性质量）。

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