雪崩二极管APD倍增因子M的计算公式

APD倍增因子M的计算公式很多，一个常用的公式为 M=1/1-(v/vB)n

式中: n 是由P-N 结材料决定的常数V B 为理想反向偏压V 为反向偏压的增加值。对于Si 材料,n =1. 5 ～ 4 对于Ge 材料n = 2. 5～8 。由式中还可看出,当| V | →| V B | 时, M → ∞, P-N结将发生雪崩击穿。

APD一种国际常用名词，包括德国APD蓄电池、雪崩光电二极管、阿普达国际（集团）有限公司、动作电位时程等。

1、动作电位时程APD是指动作电位时程，是一个医学概念，动作电位时程，英文缩写：APD（action potential duration）。

2、雪崩光电二极管雪崩光电二极管指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。加大反向偏压会产生“雪崩”（即光电流成倍地激增）的现象，因此这种二极管被称为“雪崩光电二极管”。

3、APD蓄电池德国APD蓄电池创建于2002年10月18日，由德国APD电气有限公司投资兴建，注册资金145，000万元，占地面积62，500平方米。

公司先后通过ISO9001质量体系认证，ISO14001环境管理体系认证和OHSAS18001健康与安全管理体系认证，连年荣获“中国外商投资双优企业”、等称号，生产的产品先后获得了美国UL认证、德国VdS认证。产品符合中国ROHS指令严格要求。

APD的形成机制：

1、阈刺激或阈上刺激使膜对Na+的通透性增加，Na+顺浓度梯度及电位差内流，使膜去极化，形成动作电位的上升支。

2、Na+通道失活，而 K+通道开放，K+外流，复极化形成动作电位的下降支。

3、钠泵的作用，将进入膜内的Na+泵出膜外，同时将膜外多余的 K+泵入膜内，恢复兴奋前时离子分布的浓度。

---