N,F,Na,Mg,Al,siCl,Ar,K,Br可作半导体材料的元素是？

是Si，硅。

半导体的导电性能比导体差而比绝缘体强。实际上，半导体与导体、绝缘体的区别在不仅在于导电能力的不同，更重要的是半导体具有独特的性能（特性）。

在纯净的半导体中适当地掺入一定种类的极微量的杂质，半导体的导电性能就会成百万倍的增加—-这是半导体最显著、最突出的特性。

硅原子的核外电子第一层有2个电子，第二层有8个电子，达到稳定态。最外层有4个电子即为价电子，它对硅原子的导电性等方面起着主导作用。硅晶体中没有明显的自由电子，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。

纯硅的电阻率为214×1000欧姆/厘米，几乎是不导电的。但若掺入百万分之一的硼元素，电阻率就会减小到0.4欧姆/厘米。因此，人们可以给半导体掺入微量的某种特定的杂质元素，精确控制它的导电能力，用以制作各种各样的半导体器件。

以上元素中，除了硅外都不具有这种性质，所以都不能作为半导体的材料。

半导体因掺杂不同使得导电原理不同，半导体的导电是通过掺杂实现的。

如Si 是目前集成电路中常用的材料，最外层电子是4个。

1、通过掺杂B（最外层3个电子），可以形成受主能级，让价带产生大量空穴，从而实现导电，这是第一种：P型半导体。根据电中性原理（Nd ≈ n ，其中Nd为受主能级的电离杂质浓度）。

2、通过掺杂P（最外层4个电子），可以形成施主能级，让导带产生大量电子，从而实现导电，这是第二种：N型半导体。根据电中性原理（Na ≈ p ，其中Na为施主能级的电离杂质浓度）。

3、不掺杂，既为本征半导体，自由移动的电子与空穴成对出现ni^2=n * p ； n = p，所以n、p的量均较小。所以本征半导体不导电或者说电导率很低。

由A～I在元素周期表中的位置可知：A是H、B是He、C是C、D是N、E是O、F是F、G是Na、H是Al、I是Si、J为Cl， （1）以上10种元素中，可用于半导体材料的为Si，其核外电子总数为14，位于周期表中第3周期ⅣA族， 故答案为：Si；第3周期ⅣA族； （2）A为H、G为Na，二者与O元素都能形成两种化合物：Na 2 O、Na 2 O 2 、H 2 O、H 2 O 2 ，其中含有离子键属于离子化合物的是Na 2 O、Na 2 O 2 ，属于共价化合物的是H 2 O、H 2 O 2 ；这四种化合物中含有非极性键的化合物是H 2 O 2 、Na 2 O 2 ， 故答案为：Na 2 O、Na 2 O 2 ； H 2 O、H 2 O 2 ；H 2 O 2 、Na 2 O 2 ； （3）以上元素中，金属性正确的为Na，则最高价氧化物对应水化物的碱性最强的为NaOH；Al（OH） 3 为两性氢氧化物，既能够与酸反应，用与强碱溶液反应， 故答案为：NaOH； Al（OH） 3 ； （4）只含有A、C两种元素的化合物称做烃，烃类化合物中相对分子质量最小的是甲烷，甲烷分子的空间构型是正四面体， 故答案为：烃；甲烷；正四面体； （5）Al原子的核电荷数、核外电子总数都是13，其原子结构示意图为： ； 元素H与元素J组成的化合物为氯化铝，氯化铝的水溶液中加入少量烧碱溶液反应生成氢氧化铝沉淀，反应的离子方程式为：Al 3+ +3OH - =Al（OH） 3 ↓， 故答案为： ；Al 3+ +3OH - =Al（OH） 3 ↓； （6）A、D、J分别为H、N、Cl，三者都是非金属元素，它们组成的离子化合物中一定含有铵根离子，则该化合物为：NH 4 Cl， 故答案为：NH 4 Cl．

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