用各种计算浓度的方法,计算半导体载流子的浓度

半导体载流子计算公式：n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p为载流子浓度,第一个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度时破坏公价键所需的能量,k为玻耳兹曼常数. 半导体载流子即半导体中的电流载体。

在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。在半导体中，存在两种载流子，电子以及电子流失导致共价键上留下的空位（空穴）均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子，P型半导体中指空穴，它们在电场作用下能作定向运动，形成电流。

载流子的浓度是决定半导体电导率大小的主要因素，其单位是原子／cm3。在本征半导体中，电子和空穴的浓度是相等的。而在含有杂质和晶格缺陷的半导体中，电子和空穴的浓度不相等。

中文名称：载流子浓度。

英文名称：carrier concentration。

定义：单位体积的载流子数目。在室温无补偿存在的条件下等于电离杂质的浓度。

例如，常温下金属中，电子热运动的速度的数量级达每秒数百公里！

仔细看这种无规运动，你会发现，任意时刻，各个粒子的运动方向是随机的。如果将这些粒子的速度矢量加起来，结果几乎为零。

给导体加上一个电场，电子在无规运动基础上，叠加了一种定向运动。假设某段时间，电场向左，则电子的运动看起来是下面这样的，红色小球代表晶格上的金属原子，快速运动的小点代表自由电子。

300K。

半导体材料中的载流子浓度直接决定着半导体的导电能力，因此要制造出符合要求的半导体器件，必须定量地研究载流子浓度的影响因素，半导体中有空穴和电子两种载流子，半导体中的电流是这两种载流子定向移动形成的电流之和。

载流子浓度注意事项

对于电子，当能量增大时，由于费米-狄拉克函数迅速趋于零，因此可将积分上限设定为+∞而不必使用导带顶能量。空穴同理反之。

半导体：0K时，价带被电子填满，导带空白，且禁带较窄的晶体是半导体。半导体在常温（例如300K）时就有一定量电子在导带中，温度升高时，更多电子受激跃入导带，导电能力明显增强。

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