卓兴半导体3C固晶法则是什么？

3C固晶法则分别指的是3个英文单词的首字母：Correction校正、Control控制、Continuity连续。分别对应的在固晶工艺中解决角度、速度、良率和固晶范围等问题需要用到的工艺方法。下面我详细介绍下这三个方法：

一是角度校正（Correction），包含两个部分：1、晶圆环校正，保证固晶机摆臂抓取晶圆时位置更准，抓取成功率更高；2、是晶圆校正，当晶圆被抓取之后通过动态角度调整，保证晶圆贴合姿态更正，位置误差更小。

二是压力控制（Control），贴合模组内置高精度直线和旋转运动，在芯片贴合的同时进行压力检测和控制，以保证每一个芯片都能以完美的力度贴合到基板对应位置，固晶良率达到99.99%以上。

三是连续固晶（Continuity）,卓兴半导体创新双臂同步固晶模式，单位时间内比传统固晶机效率提高一倍。此外，卓兴半导体还有双臂6晶圆环混打设计，一次装夹完成RGB三色固晶，效率更高，单位时间内固晶更多。目前卓兴半导体固晶效率可以达到40K/H，高于市场平均水平。

这个卓兴的3C固晶法则是一套比较全面的固晶概念，结合他们家的技术并做了很多创新。主要的优势的话个人总结了有4点：一是精度高，可以保证做到贴合位置误差＜±15um，角度误差＜1°；二是速度快，固晶速度可以达到40K/H；三是良率高，良率可以达到99.99%以上；四是固晶范围大，基板宽度可以做到200mm以上，最大可以做600mm*1200mm的基板。

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