半导体二极管的开关条件是什么？导通和截止时各有什么特点

晶体管的开关特性有二种，一种是：二极管的稳态开关特性；一种是：二极管的瞬态开关特性。二极管的稳态开关特性：电路处于相对稳定的状态下晶体管所呈现的开关特性称为稳态开关特性。晶体二极管当作开关使用时，在理想情况下，当二极管外加正向电压时，二极管导通，如同开关闭合，电路中有电流通过；当二极管外加反向电压时，二极管截止，如同开关断开，电路中没有电流通过。二极管的瞬态开关特性。电路处于瞬变状态下晶体管年呈现的开关特性称为瞬态开关特性。具体地说，就是二极管由导通到截止，或者由截止到导通的瞬态特性。这个估计需要详细的说明才弄的了去硬之城看看吧或许有人会。

IGBT的工作原理是是通过加正栅电压形成沟道，作用是为PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。

IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。

MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

工作特性：

1、静态特性

IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性，IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似，也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。

2、动态特性

动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分，一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间，另一个是开关过程中的损耗。IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系，IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。

以上内容参考：百度百科—IGBT

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