请问光纤和can总线相比较哪个适合用在工业控制上呢？

感谢题主的邀请，我来说下我的看法：

说真的，CAN总线和光纤之间完全没有可比性，它们没有谁能够简单替换谁这种关系。CAN总线是一种控制系统，是一种现场总线，它是有上层的通讯协议的。光纤是一种材料，是一种数据传导方式，其优点为数据传输速度快，损耗少，不易受干扰。如果你觉得你使用CAN总线通讯距离有限，你可以将其先转换为光信号在光纤线里面进行传输，然后到地方再转换回来。无论是CAN总线还是光纤，工业领域里都经常会被用到，但如果范围局限在工业控制上，那CAN总线毫无疑问是更好的选择了，你清楚了吗？如果您需要相关的CAN转光纤转换器的话，可以前往我们的网站进行具体的咨询，欢迎来访。

1、王芹生：打造“国家队”

王芹生作为“八五”、“九五”、“十五”集成电路CAD技术研究项目的主要负责人，对稳定、培养和壮大我国ICCAD软件队伍，保证ICCAD攻关成果免于流失做出了重大贡献。

她主持了多项国家重点集成电路品种开发和应用项目(47个专题)，如我国第一台高档位八位单片机、第一块智能卡(CPU)芯片及系列产品等，主持开发了具有市场引导性的产品。

2、王国平：书写“再造”篇章

王国平，无锡华润微电子有限公司的领军人物，带领一个面临严重危机的中国最大的民族微电子企业，神话般地卸掉巨额亏损包袱，走上良性发展轨道，并挺立在国内消费类集成电路和分立器件企业的首位。

肩负着“让华润芯进入中国的每一个家庭”的崇高使命，向着2010年营业额50亿元的目标，在6英寸线奠基喧天的爆竹声中，王国平和他的同事们又踏上了新的征程。

3、王新潮：十年磨一剑

1997年，王新潮以TO-92管为突破口，推出长江牌元器件，销售给国内家电制造商，从而为长电带来了品牌和资本的原始积累。

从2000年开始，王新潮吸引3250万元私人资本和4500万元法人资本，用于长电公司的股份制改造。就在当年，江苏长电科技股份有限公司改制成功，并进入上市辅导期。2002年，长电科技形成了年产100亿只分立器件、10亿块集成电路的能力，在国内同行中处于领先地位。长电科技也连续2年利税突破1亿元大关。

4、邓中翰：“中国创造”之星

要将“中国制造”推进到“中国创造”，带动中国经济整体素质和竞争能力的提升。在旅美华人学子中享有声誉的邓中翰是这个观点的积极倡导者。

邓中翰致力的“星光中国芯工程”，五年来实现了七大核心技术突破，申请了该领域200多项国内外专利技术，在国际上处于领先地位，并实现了研发成果的产品化，开发设计出拥有中国自主知识产权、具有国际领先水平的“星光中国芯”五代数字多媒体芯片。产品被国际知名企业大批量采用，成功占据了计算机图像输入芯片世界第一的市场份额(达40%以上)，在全球市场的销售量目前已突破1000万枚。

5、石明达：执著的变革者

上世纪九十年代中后期开始，国际半导体制造逐渐形成向中国转移的趋势。时任南通华达微电子有限公司董事长的石明达与日本富士通株式会社达成合资协议，投建南通富士通微电子有限公司。

目前，南通富士通已经形成年IC封装能力15亿块、成品测试能力10亿块、芯片测试能力5万块，成为国内集成电路封装测试行业中产品品种最全、技术水平最高、规模最大的龙头企业

6、刘幼海：创造利润奇迹

1995年从硅谷回到祖国的刘幼海，担任上海先进半导体制造有限公司的市场副总裁。上任第一年，先进半导体的产量激增96%，迎来了历史上第一个赢利年。

2000年，刘幼海正式接任先进半导体总裁职务，在他的领导下，上海先进半导体也成为国内第一家专业的集成电路代工企业。2001年，正赶上全球半导体产业周期性回落，行业水平下滑35%，但刘幼海的先进半导体的利润超过1.3亿元。在短短的几年时间内，企业的规模和产量由2000年的2亿美元投资，增加到2002年的10亿美元。2000年，先进半导体的5英寸和6英寸生产线的产能是月产3.5万片芯片，截至目前，已上升到月产8万片。

正是在先进半导体的利润得到保障的前提下，刘幼海又说服董事会同意投资6.87亿元，投建一条8英寸、0.25微米的集成电路芯片生产线，这条生产线的产能为月产3万片。先进半导体成为国内最大的芯片制造公司之一。

7、陈向东：民营资本造“芯”

1997年，陈向东创办了杭州士兰微电子。他认为士兰在起步阶段应将产品和市场定位于民用消费集成电路中低档产品。这一策略为士兰带来了广阔的市场。2002年，士兰及下属友旺公司全年销售达到5.2亿元，集成电路总产量超过4亿只。

在积累一定的资金与人才后，陈向东开始带领士兰向高端领域进军，在10M/100M以太网卡电路、CD数字伺服和解码纠错电路、数字信号处理器DSP、无线局域网解决方案、IC卡芯片等项目上投入研发资金。同时，陈向东在2001年决定创建第一条由民营资本投资的集成电路芯片生产线。2003年芯片生产线投产，同年第三季度就实现了赢利。

8、张汝京：梦圆“中国芯”

2003年8月，张汝京博士在上海浦东张江高科技园区创立了中国第一家8英寸芯片代工厂———中芯国际集成电路制造(上海)有限公司。目前，公司两条大规模的8英寸生产线都已进入量产，每月总产能近6万片，工艺技术达到0.18微米及以下水平。

中芯国际在张汝京的领导下，积极同世界一流的半导体厂商结成不同形式的联盟，已经同日本的东芝、富士通、尔必达，新加坡的特许半导体，比利时的IMEC，德国的英飞凌以及美国的MOSYs等众多一流的半导体公司与研究机构签订技术合作协议，建立策略联盟关系，在诸方面创造互惠互赢的合作机会。

9、魏少军：新模式开拓者

魏少军按照建设完整产业链的发展策略，设计出具有大唐微电子特色的新业务模式。他认为，企业存在的唯一目的就是占领市场。这种认识使他走向开发面向市场的实用产品。从一开始，他就从被别人认为是“没有科技含量”的电话IC卡做起。先后推出了我国第一枚具有全部知识产权的IC电话卡芯片。目前，大唐微电子的IC卡芯片及模块的年生产规模超过1.8亿只，成为国内第一大生产商。

魏少军接着把大唐带到了另一个高速增长的领域：移动通信智能卡。大唐利用技术优势，迅速推出国内第一枚SIM卡芯片、UIM卡芯片，结束了国内通信智能卡集成电路领域依赖进口的局面。2003年，大唐微电子针对中国移动、中国联通的移动通信智能卡合同额就超过了5亿元。

西安电子科技大学教授郝跃和他带领的宽禁带半导体技术科研团队，依托宽带隙半导体技术国家重点学科实验室，开展宽禁带半导体材料与器件的应用基础研究，实验室已成为国内外宽禁带半导体材料和器件的科学研究、人才培养、学术交流、成果转化方面的重要基地，是西安电子科技大学微电子学与固体电子学国家重点学科、“211工程”重点建设学科和国家集成电路人才培养基地的重要支撑。

敏锐洞察微电子前沿

上世纪，信息科学技术蓬勃兴起，作为信息时代技术基础的集成电路——微电子技术成为大热门。彼时，在微电子领域已崭露头角的郝跃却敏锐地感觉到，传统的微电子技术研究已经遇到了问题。

以硅为半导体材料的集成电路技术基础研究成为关注的核心。一方面，随着集成电路的集成度每18个月翻一番，使半导体器件和材料基础研究高度依赖于工艺条件，高校的优势慢慢丧失；另一方面，随着相关技术产业化和行业市场的迅猛发展，集成电路技术的开发应用已迅速成为企业的天下，高校乃至研究院所都很难成为主导力量。

寻找新的方向，是学术带头人郝跃直觉到的内在要求。他把目光转向化合物半导体，并最终聚焦到国际上刚起步的宽禁带半导体材料——氮化镓、碳化硅。他看到，宽禁带半导体材料研究可以把电子学与光学紧密结合，必然具备单纯的电子学或光学不具备的优势，同时也有很高的学术和应用价值，容易形成先发优势。

2000年前后，郝跃到美国进行学术交流，他留心考察了美国相关研究的最新动态，发现他们的氮化物宽禁带半导体材料研究也还处于起步阶段。这更加坚定了他的决心。回国后，他毅然宣布，全面转向新的研究方向，宽禁带半导体材料与器件。

据实验室的青年教师马佩军回忆说，这无异于一颗重磅炸d，在学院里引起了不小的震动，很多人都无法理解。当时作为郝跃老师的博士研究生，马佩军也觉得非常突然和吃惊。宽禁带半导体是个新鲜事物，没有人能预料它的发展前景。一没有研究基础，二没有经费支持，在马佩军看来，这一新的未知领域充满风险。

尽管争议很大，但是郝跃非常坚决。没有经费筹措经费，没有条件就创造条件，举全力投入。同事和学生们都感叹，郝老师胆识过人，决策果断，他看准的事情绝不拖泥带水。

短短几年的时间就已证明，当初郝跃带领他的团队爬上的这座山头是个宝藏。氮化镓、碳化硅化合物半导体材料，也就是宽禁带半导体材料，很快被定义为“第三代”半导体电子材料，它翻开了世界微电子学科和微电子产业全新的一页。

自主搭建创新平台

刚开始关于宽禁带半导体材料氮化镓的研究，摆在郝跃面前最大的问题是没有材料生长设备。引进一套设备，当时需要700万元到800万元。然而由于没有研究基础，还不能申请国家的经费支持。

怎么办？郝跃决定不等不靠，自己搭建一套设备。他从手中的项目经费中挤出部分经费，又自己垫资，东拼西凑，终于凑到200万元，由此开始了自主研发并搭建材料研制平台的艰苦历程。

用这200万元购买零部件，团队成员自己动手设计与搭建设备。万事开头难，郝跃鼓励大家说，最痛苦的时候，也是最有希望的时候，等日子好过了，我们就要有危机感了。

2002年，在郝跃的领导和指导下，第一代MOCVD（有机化合物化学气相淀积）设备研制成功。当时毕业留校直接参与了设备研发的青年教师张进成，回忆起那段“带着学生从焊板子开始”的往事，感到更多的是成就感。这套后来被张进成笑称为“作坊”式的设备，满足了材料生长、表征、测试等最基本的研究需要，很快就生长出了具有国际先进水平的GaN（氮化镓）基外延材料。团队成功迈出了具有关键意义的第一步。

与此同时，全世界范围内，宽禁带半导体的时代很快到来了。学术界与产业界逐渐认识到，GaN电子器件是制造高功率微波毫米波器件的理想材料，在新一代无线通信、雷达与导航测控等航天、航空平台设备中，具有重大应用前景。只是GaN材料缺陷密度相对较高，这是长期制约GaN电子器件发展的瓶颈。

郝跃带领他的团队系统研究并揭示了GaN电子材料生长中缺陷形成的物理机理，独创性地提出了脉冲式分时输运方法、三维岛状生长与二维平面生长交替的冠状生长方法，显著抑制了缺陷产生。

正是基于这种创新生长方法的固化集成，团队成功建立第一代自主国产化的MOCVD系统和低缺陷材料生长工艺，并于2005年和2007年迅速更新为第二代和第三代，解决了高性能GaN电子材料生长的国际难题，推动了GaN材料生长技术与核心设备的应用。团队自主研发的MOCVD系统及关键技术已成功产业化，应用于GaN半导体微波器件和光电器件制造企业，已累计实现产值2.1亿元。他们自主制备的高性能GaN电子材料自2003年起批量应用于国内多家研究所与大学，以及日本、新加坡等国家的一些科研机构，被国际用户评价为“特性达到了国际前沿水平”。似乎就在朝夕之间，郝跃教授与他的团队一下拿出一批有显示度的成果，震动了整个微电子领域。

成果转化彰显价值

2002年，GaN高亮度蓝光LED器件在郝跃的实验室成功问世。这种新工艺具备传统发光器件不可比拟的节能等优越性。郝跃预测到该项成果巨大的市场潜力，着力推动技术转让与成果转化。

然而事情一开始并不十分顺利，显然这件新事物的价值还不为市场所认识，没有引起足够的重视。郝跃认为，再好的成果，如果“养在深闺人未识”，没有实现其应有的价值，就不能算最后的成功。不等不靠，郝跃决定主要依靠团队自己的力量，将这项成熟的技术尽快转化。

2005年，团队以少额技术股份转让该项成果，以实验室为技术依托，成立西安中为光电科技有限公司，成功实现了蓝绿、紫外LED的产业化。

此外，他们自主建立的国产化GaN微波毫米波功率器件填补了国内空白，打破了发达国家的技术封锁与禁运，已开始试用于多项雷达和测控国家重点工程，推动了我国宽禁带半导体电子器件的跨越发展和应用。

高质量的GaN（氮化镓）和SiC（碳化硅）材料外延片批量提供企业和研究所使用；微波功率器件已经开始用于国家重点工程；GaN的LED成果已经成为陕西省半导体照明的核心技术；微纳米器件可靠性技术对推动我国高可靠集成电路发展发挥了重要作用……随着多项成果应用于国家和国防重点工程，郝跃带领团队的研究工作得到了国内外的广泛关注，科研水平和学术地位不断提升。

在解决国家重大战略需求方面，团队注意到半导体器件可靠性一直是航天、航空等系统中突出的薄弱环节。美国阿里安火箭100多次发射中有过8次失利，其中7次都是由个别器件故障导致的。随着电子系统复杂度的日益提高，器件可靠性问题越来越突出，对我国更是如此。

郝跃多年来一直关注着这个技术难题。从上世纪末开始，团队在他的领导下系统研究了多种半导体器件的退化与失效机理，提出并建立了相应的模型，系统揭示了半导体器件退化与失效的物理本质。该项成果获得了1998年的国家科技进步奖三等奖。

早在2001年，团队首次提出并建立了高可靠性的自对准槽栅半导体器件结构与制造工艺，使器件可靠性提高近2个数量级，被评价为“槽栅器件是一个很有前途的结构，可改善热载流子效应，从而提高器件可靠性”。这项成果成功用于知名集成电路制造商——中芯国际公司高可靠集成电路大生产。该项成果还获得了2008年的国家科技进步奖二等奖。

“微电子不微”，这是郝跃常挂在嘴边的一句话。微电子技术是一个国家核心竞争力的体现，是国家综合国力的标志。他说，作为科研工作者，要承担起自己的使命。

面向未来，郝跃一方面密切关注着学科前沿此起彼伏的热点，一方面反思着团队持续发展中面临的一些自身的问题：数理基础要进一步巩固和加强，创新性思维有待进一步培育，科学的精神、激情与活力需要进一步激发……他似乎总有一种时不我待的紧迫感。

西安电子科技大学南校区一片美丽的草坪上，一座巨石巍然耸立，上书“四海同芯”四个大字雄浑苍劲，似乎诉说着西电微电子人的执著与奋斗，梦想与追求。