中国高端通用芯片概况

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1月2日，2011

中国IC产业的发展状况，中国IC产业的发展现状IC产业的发展

关键词：中国集成电路的现状

集成电路产业是一个知识密集，技术密集和资金密集的产业，世界集成电路产业的快速发展，快速的技术变化。 2003年前后，中国的IC产业都从一个质或量并不发达，但沿带的向东转移，全球汽车行业，中国的稳定的经济增长，庞大的国内市场，以及大量的人才潮，中国的IC产业已经成为新的世界集成电路制造中心。进入21世纪，中国必须加强电子信息产业的发展。这是推动中国经济发展的支柱，促进科学的进步和技术的一个重要手段，以提高中国的综合实力。 IC产业，电子信息产业基地，必须优先考虑的发展。只有那些拥有了坚实的集成电路产业，为了有效地支持了中国的经济，军事，科技和社会的发展，第三步发展战略目标的实施。

，中国集成电路产业的快速发展，为2.22亿美元和585亿人民币的销售额，在1998年，中国的IC生产。到2009年，中国的IC生产了411亿，销售收入111亿元，12年的生产和销售增加了18.5倍和20倍，分别为38.1％的年均增长速度为40.2％，分别，与销售的增长率远远高于同期全球年均增长速度为6.4％。其次，中国IC产业的显着变化，2008年中国的IC产业在发展过程中的重大变化的一年。全球金融危机是不是唯一的世界半导体市场的衰退，以及产品显著减少中国的出口，占约1/3的中国出口总额的，对电子信息产品的增长下降，相应减少的需求，其核心部件集成电路产品。人民币升值，但也影响了行业的发展，一个不容忽视的因素，可以的，因为在国内销售的集成电路产品直接出口占70％左右，人民币升值对出口贸易的影响具有重要的美元作为结算货币，人民币兑美元升值1％，国内集成电路产业的整体销售增长，在即将到来的2011年，为加快人民币的升值将减少1.2至1.4个百分点，是一个问题。 ，产品销售概述中国的IC中国IC产品销售概述设定在2008年中国IC产业的周期性衰退的产业发展呈现一个增长季度季度下降只有124.682十亿元，年销售总额，比2007年减少0.4％，从未有过的负增长一年四季的IC生产到四十一点七一四亿美元，同比增长1.3％，与2007年相比，唯一的。近年来，中国的集成电路产品的生产和销售，在图1和图2所示，由图

图1 2003-2008年中国集成电路产量增长

图2 2003-2008年集成电路产品销售额增加可见的是，在最近几年，中国的IC产品销售增加一年的一年，但增长缓慢的速度，这是因为中了5个年来的州立委员会文件第18号颁布后，中国的IC产业产品销售已被该增加的平均每年增长速度超过30％的速度，这期间世界三倍的增长速度的集成电路，是一个国家的快速发展阶段，在正常情况下，中国集成电路产业的平均每年增长率也将维持在1.5倍左右世界的增长率是已经高速的发展，因此，在2007年的年度增长速度，中国的IC产业逐渐慢下来应该是一个正常状态的事务中的世界IC产业周期性低谷阶段，年均增长率约20％仍是一种罕见的高速。从美国的次贷危机，世界经济开始逐步扩展形式的世界金融危机，然后蔓延到实体经济部门从2008年

影响中国的IC产业，到第三季度，国际金融危机影响显着在第四季度爆发后，中国的集成电路产业销售大幅下降，潜水表。图3是一个过程，这个变化。

图3 2006Q1-2008Q4的IC产品销售收入与上一年年（季）的工业环境的改善，中国的IC产业的增长速度发展经受住金融危机的影响政策是非常重要的。 2008年1月，教育部，财政部和国家税务总局颁布了多项优惠政策，企业所得税的通知“（财税[2008] 1号），高度重视集成电路企业享受所得税优惠。最近通过的电子信息产业调整和振兴规划，又把“建立自我控制IC产业体系”作为未来发展的国内信息产业的三个关键任务的五个主要发展倡议明确提出“加大投入，集中力量实施的集成电路的升级。 “由国务院于2005年发布的”国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006━2020年）“（国发[2005] 44号），决定和安排的16项重大项目，其中包括”核心电子器件，高端通用芯片及基础软件产品“和”超大规模集成电路制造装备及成套的一批重大项目的前两列在2008年4月，国务院常务会议审议原则上批准的两个重大项目的实施方案，特别涉及相关领域提供了一个良好的发展机遇。各级中国政府继续实施积极的支持集成电路产业的发展及相关政策有一个积极的影响对中国集成电路产业的发展。第四，需求的IC产品市场在中国，近年来，需求的IC产品在中国市场的快速发展，中国的电子信息产品制造，呈现了快速发展的状态的事务和关注的问题，即使在全球半导体产业的需求，中国的IC产品在国内和国际半导体行业的低迷和在2008年出现了负增长，

寻求市场仍然保持了增长的势头，这是维护信息产品制造业销售的10％以上正增长。中国IC市场的需求在最近几年中，量的变化情况如图4所示。

2004-2008年间，中国的IC市场需求超过V，中国的IC产业的结构设计，制造和装配和测试行业的行业同时增长，的水平?＆e和生产能力的半导体设备和材料产业链基本形成。有了一个数年以前的IC设计产业和加快发展的芯片制造和设计业，芯片制造业所占比例逐渐增加，国内集成电路产业的结构变得越来越合理。设计行业的销售在2006年是18.62十亿元，一个增加49.8％，与2005年相比，2007年的销售额22.57十亿人民币，比2006年增加了21.2％。芯片制造业2006年的销售额为32.35十亿人民币，与2005年相比，同比增长38.9％2007年销售397900000美元，相比2006年的增长速度，23.0％。包装和测试产业，2006年销售收入49.66十亿元，同比增长43.9％，与2005年相比，2007年销售62.77十亿人民币的增长为26.4％，较2006年。中国的设计业，芯片制造，封装及测试业销售在2001年分别为1.1亿元人民币，27.2亿十亿元，16.11元，分别占年度销售总额的5.6％，13.6％，80.8％和产业结构不使用合理。在过去的五年，行业规模不断扩大，在同一时间，在在IC工业结构逐步合理的设计业和芯片制造业所占的比例显着增加。中国的IC设计业，芯片制造，封装及测试业销售在2007年分别为22.55十亿元，39.69十亿人民币，62.77十亿人民币，占年度销售总额的18.0％，31.7％，50.2％，半导体设备和材料的研发和生产能力也越来越大。在设备方面，65纳米开始导入生产，中芯国际与IBM 45纳米技术的合作， FBP（平面凸点封装）和多

芯片封装（MCP）等先进封装技术研制成功并投入生产，8英寸100纳米等离子刻蚀机的自主开发和大角度离子注入机，12 - 英寸硅片的生产线，8英寸和12英寸硅单晶材料，开发了国内的硅晶片和光致抗蚀剂的生产能力和供应能力不断增强。

但是在2008年，国内IC设计，芯片制造和封装测试业均不同程度地受到市场低迷的影响，其中芯片制造业是最明显的，每年的芯片制造规模的增长从23在2007年的％-1.3％，主要的芯片制造公司有闲置的容量，性能的下降封装测试业的订单普遍下降，开工率，每年的增长率为-1.4％，IC设计业也受国内市场需求的增长放缓的影响，部分原因是由于的重点企业在技术升级和产品创新方面所作的努力，承受的市场需求疲软的影响，每年的增长率保持正增长状态，为4.2％，高于国内IC产业的整体增长。图5。

中国集成电路产业的基本结构52008

六，集成电路技术的发展，集成电路技术的发展，技术创新能力不断提高，不断缩小与国外先进水平的差距。英寸生产线，从一开始的改革开放，发展到目前的IC制造工艺的12英寸生产线，以推进深亚微米级的包装和测试了很多处理模块从低端向R＆ D，先进的加工技术已经达到了100纳米。高端，在SOP，PGA，BGA，FC，CSP，SiP和其他先进封装形式的开发和生产取得了令人瞩目的成就

大大提高了水平的IC设计，设计容量小于或等于0.5微米的企业比例已经超过了60％，设计产能0.18微米的企业占了相当大比例的一部分，企业的设计水平已达到国内先进水平的100纳米。国内IC设计公司的设计产能超过一百万的规模的比例已经上升到超过20％的最大设计有超过50万的水平。相当数量的IC已投入批量生产，不仅要满足国内市场的需求，和一些还进入了国际市场。总之，IC产业是的核心战略，在信息产业和现代制造业，它已成为的顶部优先级的信息产业在一些国家，中国集成电路的发展行业在2011年鼓励更好的发展环境，将进一步加大国家政府的支持下，新的扶持政策将尽快，以支持研究和开发的资金将增加的国内市场，中国IC产业更广阔的空间将继续保持较快的发展速度，占全球市场份额的比例将进一步增加！

附录：附录：中国的IC产业发展大事记（摘自网络）的发展中国的IC产业大事记（摘自网络）在1947年，在美国贝尔实验室发明了晶体管。在1956年，中国提出的“行军”的科学，半导体技术的国家4紧急措施之一。在1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出的锗晶体。XI中国社科院科学，应用物理研究所，二机部第十局开发的锗晶体管。今年以来，中国已经开发出一种锗点接触型二极管，三极管（晶体管）1959年，天津制定的硅（Si）单晶。在1962年，天津制定砷化镓单晶（GaAs）的编制的其他化合物半导体的研究奠定了基础。在1962年，中国的研究制成硅外延工艺和开始，以研究凹版印刷，平版印刷过程。在1963年，河北研究所半导体，硅平面晶体管制成的。在1964年，河北半导体研究所开发了一个硅外延平面晶体管。1965年12月，在河北半导体研究所召开鉴定会，确定了第一批半导体DTL（二极管 - 晶体管逻辑）数字逻辑电路，并在国内首次发现。1966年底，上海工厂在组件武昌识别的TTL电路产品。双极型数字集成电路这些小规模的，主要在主NAND门，以及与非驱动，及其“门，”或非“门，”或“门，以及NOR电路商标中国做出了自己的小规模集成电路。在1968年，国有东光电工厂（878厂），上海无线电19厂，于1970年建成投产，形成IC产业在中国，“啪”的形成。在1968年，的的上海无线电14厂第一次提出的PMOS（P型金属 - 氧化物 - 半导体）电路（MOSIC）。打开中国的发展MOS电路的序幕，并在七十年代初期，永川，中国科学院半导体研究所（现在? -24），14家工厂和878株已研制成功的NMOS电路。

CMOS电路的发展。七十年代初，国家推出IC制造商，超过40内置IC工厂的热潮。 1972年，中国的第一片PMOS LSI电路在四川永川，研究所半导体，成功地开发。在1973年，七家单位是引入一个单件设备从国外引进，期望建成七英寸工艺线最后只有北京878厂1976年11月，航天部陕西骊山771和都匀4433厂。，中科院计算所研制成功的10万大型电子计算机电路用于中国社科院科学，109厂（现学院微电子中心） ECL（发射极耦合逻辑）电路，1982年，江苏省无锡市江南无线电器材厂（742厂）IC生产线完成验收投入这是中国第一次从国外引进集成电路技术，1982年10月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路，建立了万里副总理为组长的领导小组，“电子计算机和大规模集成电路领导开发的IC发展规划，提出了”六个五“期间半导体工业进行技术改造。 1983年，长介绍，重复的项目，LSI的国务院领导小组，治散有序与无序，集成电路成立的北部和南部的基地和重点发展战略，南方基地主要是指江苏的北方基地，浙江，北京，天津，沉阳，一个点指西安，主要是支持航天。 1986年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，在第七个五年计划“，中国的IC技术发展战略的”531“期间提出的，在5微米技术，开发3微米技术，1普及微米技术，科学和技术，1989年2月，机电工程署处，在无锡举行，“八五的IC发展战略研讨会”，以加快基地建设，形成生产，注重发展的专用电路，加强科研和支撑条件，振兴集成电路产业发展战略，1989年8月8日，工厂和永川半导体研究所，无锡分公司合并，中国华经742电子集团有限公司在1990年10月，国家规划委员会和电气系联合举办在北京的领导和专家参加的座谈会，向中国共产党中央委员会的报告，决定实施九O八工程，在1995年，电子部第九个五年计划“集成电路的发展战略：以市场为导向的CAD为突破口，研究相结合，我们主动出击，国际合作，加强招商引资力度，加强对重点工程和技术创新能力建设，促进集成电路产业进入一个良性的循环。电子部和国家外国专家局于1995年10月，在北京举行的一个联合论坛在国内和国外的专家献计献策，加快发展中国的IC产业。国务院在11月，工信部电子特别报告，以确定实施的909个项目。 1997年7月17日，上海华虹NEC电子有限公司，有限公司，上海华虹集团和日本NEC公司的合资成立，总投资1.2十亿美元，注册资本700万美元华虹NEC是主要负责“909”工程超大规模集成电路芯片生产线项目。 1998年1月18日，“908”机构的工作成化泾工程通过对外承包接受，从朗讯科技公司进口的0.9微米的生产线已经有一个月的投票，6000的6英寸晶圆产能。 1998年1月，中国集成电路设计中心，以国内和国际用户推出了熊猫2000系统，这是中国的自主研发的一套EDA系统，以满足在亚微米和深亚微米工艺的需要，可以处理的规模百万门级，支持高层次的设计。 1998年2月28日，中国第一家8英寸单晶硅抛光晶圆生产线的建成投产，

半导体材料北京有色金属研究院国家工程研究中心。 1998年4月，集成电路“908”项目的九个产品设计及研发中心项目验收批出9个设计中心，信息产业部电子第十五研究所，工业和信息化部在4个研究所上海IC设计公司的设计中心，尤先科，深圳，杭州东方设计中心设计中心，广东专用电路，武器第二个14研究所，北京机械工业自动化和航空航天工业771研究所。这些设计中心，华晶六英寸生产线项目配套建设。 1998年3月，自行设计和开发，由西安交通大学开元集团微电子技术有限公司，有限公司中国第一个-CMOS微型彩色摄像头芯片的开发成功，我们的愿景芯片设计和开发工作，取得了可喜的成绩。 1999年2月23日，上海华虹NEC电子有限公司，公司完成试流片的技术档次从计划的0.5微米至0.35微米的生产线，主导产品64M同步动态存取存储器（S-DRAM），建设 - 和建成投产，标志着中国已经变成一个自己的深亚微米超大规模的集。集成电路芯片生产线。 2000年7月11日，国务院出台了若干政策“鼓励软件产业和集成电路产业”的发展，随后又批准上海，西安，无锡，北京，成都，杭州和科学技术部深圳。共有7个国家集成电路设计产业化基地。 2001年2月27日，单晶直径8英寸的硅抛光片国家高技术产业化示范工程建成投产有色金属研究总院北京3月28日，国务院第36次常务会议通过超大规模集成电路图设计保护条例“。 “2002年9月28日，在中国社科院科学的龙芯1号诞生，同年11月，第四十六届研究所，中国电子科技集团公司成功开发了第一个6英寸直径半绝缘砷化镓单晶，实现我们的6英寸，直径半绝缘砷化镓单晶开发零的突破在3月11日，2003年，杭州士兰微电子有限公司以市场，成为国内第一股IC设计，中星微电子在纳斯达克上市的美国在2006年成功上市，立即行动，展讯通信于2007年在美国纳斯达克上市的。国家集成电路产业园，在北京，天津，上海，苏州，宁波，其他的集成电路产业，重点建设“十一五”专项规划“，2008年。

高端商务人士使用的手机一般都有3个特点，大气的外观，强劲的性能，过硬的影像。

     想要商务大屏手机，我推荐您购买三星S22 Ultra，我老板就是用的这款手机，6.8英寸（直角） 屏幕，手机外观也很大气，很符合您的要求。

三星 Galaxy S22 Ultra

三星 Galaxy S22 Ultra是三星于2022年2月10日发布的手机产品；于3月4日在中国国内正式发售。 三星 Galaxy S22 Ultra搭载基于Android 12的One UI 4.1 *** 作系统，CPU采用高通 骁龙 8 gen1；电池容量为5000毫安；为全网通手机，支持双卡双待和无线充电。

一：外观特色

外观设计

三星 Galaxy S22 Ultra边框四角比较尖，后置为四摄排列；支持S Pen手写笔；背面为平整的哑光机身涂装，能随着不同的光线变化带来不同的视觉观感。

尺寸重量

三星 Galaxy S22 Ultra机身长度为163.3毫米，宽度为77.9毫米，厚度为8.9毫米，重量为228克。

颜色材质

三星 Galaxy S22 Ultra提供绯影红、雾松绿、羽梦白、曜夜黑、远山灰、湖屿蓝、蔷薇红的颜色；机身边框处采用装甲铝，从内部结构到外部结构为其提供较为全面的保护。

二：显示屏

三星 Galaxy S22 Ultra搭载AMOLED 2X屏幕，采用“微曲侧边”全面屏设计和三星的屏幕居中挖孔设计；支持120Hz高刷、3000000:1的对比度与1750尼特的最高亮度；还采用了视觉增强器技术，根据亮度水平改变显示屏的对比度和颜色；在息屏状态下，机身外观棱角明显配合曲率曲面屏，辨识度和观感较高。

三：摄像头

三星 Galaxy S22 Ultra相机包括1个1200万像素F2.2超广角、1个1.08亿像素广角主摄（采用康宁Super Clear 镜片），1个三倍光学变焦的长焦镜头（1000万像素F2.4）和1个10倍光学变焦的镜头（1000万像素F4.9），除超广角外均支持光学防抖；前置则是1颗4000万像素的F2.2传感器；支持8KSuper HDR视频创作等。

四：云端同步

三星 Galaxy S22 Ultra还增加了跨设备云端同步保存功能，可以将三星笔记中的文档自动保存并同步到云端，实现与PC、平板等设备的协同办公；同时支持画面投屏到无线WiFi连接的显示设备上，实现手机与显示器的分屏显示。

五：续航功能

三星 Galaxy S22 Ultra搭载了一枚5000毫安电池，配合45W有线快充设备与15W无线快充。

三星 Galaxy S22 Ultra和三星 Galaxy S21 Ultra的区别对比：

1、屏幕

两款手机都是采用了相同的AMOLED的屏幕，并且都是有着120Hz的刷新率，加上一个6.8英寸的屏幕大小，为我们带来舒适的视觉享受。

2、性能配置

三星s22ultra作为上一代的升级版，在核心配置上面可是 从原来的骁龙888变为了现在的骁龙8gen1 。

骁龙888 采用了5nm的制程工艺，“1+3+4”的八核架构。采用Cortex X1超大核，频率高达2.84GHz。GPU型号为Adreno 660。而8gen1则是搭载的是Cortex-X2超大核(3.0GHz)*1 Cortex-A710大核(2.5GHz)*3 Cortex-A510小核(1.79GHz)*4，全新的x2超大核心，进一步的提升CPU的性能，同时降低CPU的功耗，带来更好的芯片性能体验。骁龙8gen1不仅仅为用户提供更好的芯片性能体验，同时为手机提供更低的CPU功耗。

3、电池续航

两款手机虽然都是有着相同的5000mAh的电池容量，但是三星s22ultra在充电速率上面还是从上一代的25W晋升为了45W ，可以为我们带来更加好的充电效率。

     综上所述，三星s22ultra性价比更高。

    三星Galaxy S22 Ultra的优势主要在于屏幕、性能、影像，它的很多长处都与我们日常使用息息相关，想让大家获得更好地用机体验正是它的出发点，通过对三星Galaxy S22 Ultra的全面评测，我们也感受到了三星这次满满的诚意，推荐您购买。

两款手机区别如下：

1、屏幕：华为 Mate 40屏幕尺寸为6.5英寸，分辨率：FHD+ 2376 × 1080 像素，采用68º 3D 曲面屏，握持起来也更加称手。华为 Mate 40 Pro屏幕尺寸为6.76英寸，分辨率：FHD+ 2772 × 1344 像素，延续了88º 超曲面环幕屏设计，弧度饱满，左右边框臻于无形，画面向更广处延伸，带来更为沉浸的视觉体验，观感十足震撼。

2、拍照：华为 Mate 40后置摄像头像素：超感知摄像头：5000万像素，超广角摄像头：1600万像素，长焦摄像头：800万像素，支持2D人脸识别。HUAWEI Mate 40 搭载业界顶级XD Fusion 硬件实时HDR视频能力，后置主摄像头及前置摄像头均支持。结合超强4核ISP 实时处理海量信息，获得更均衡的曝光效果，高品质画面连续不断呈现华为 Mate 40 Pro。超感知摄像头：5000万像素，电影摄像头：2000万像素，长焦摄像头：1200万像素，全像素八核对焦进一步提升对焦速度和精度，在运动场景、暗光场景下也能精准对焦。支持固定焦距，将超广角镜头和姿态感应器合二为一，更小身躯有更多科技。自拍视频常见的联大、背景空间有限和构图缺陷等问题一扫而光。两款手机前置摄像头像素：超感知摄像头：1300万像素（f/2.4光圈）。

3、性能：华为 Mate 40采用EMUI 11.0（基于Android 10）系统，搭载麒麟9000E八核处理器，麒麟9000E芯片采用先进的半导体制程，是当前技术工艺最领先的5纳米5G Soc 手机芯片，将处理器和5G基带融于一体，带来速度更快发热更低和能效比更强的运行表现，从容应对5G时代中复杂的计算，负载任务，使HUAWEI Mate 40 成为领先业界的5G 手机。华为 Mate 40 Pro采用EMUI 11.0（基于Android 10）系统，搭载麒麟9000八核处理器，采用先进的半导体制程，是当前技术工艺最领先的5纳米5G Soc 手机芯片，将处理器和5G基带融于一体，带来速度更快发热更低和能效比更强的运行表现。

4、电池：华为 Mate 40电池容量：4200mAh（典型值），标配充电器支持10V/4A或10V/2.25A或9V/2A或5V/2A输出，支持40W华为无线超级快充，支持无线反向充电。麒麟9000E将5G基带集成于Soc单芯片之中，和外挂基带相比功耗降低，连接和电源管理更高效。同时，更精密的工艺制程带来功耗收益和更长续航。得益于整机供电效率提升和智慧电源管理，HUAWEI Mate 40 续航时间更上一层楼，续航无忧。华为 Mate 40 Pro电池容量：4400mAh（典型值），标配充电器支持11V/6A或10V/4A或10V/2.25A或4.5V/5A或5V/4.5A或9V/2A或5V/2A输出，支持50W华为无线超级快充，支持无线反向充电。更精密的工艺制程带来功耗收益和更长续航。得益于整机供电效率提升和智慧电源管理。

您可以登录华为商城官网了解更多信息，进行选择。华为商城官网链接如下：华为商城

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