ni(T)=AT3/2e-EG/2kT式中,
EG——电子挣脱共价键束缚所需要的能量,单位是eV(电子伏),又被称为禁带宽度;
T——温度;
A——系数;
k——波耳兹曼常数(1.38×10-23J/K);
e——自然对数的底。
硅的原子密度为5*10^22cm-3,掺入1%的As后,若杂质全部电离,则室温下载流子浓度为:多数载流子(电子)n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3
少数载流子(空穴)p=ni^2/n=0.45cm-3
半导体载流子计算公式:n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT),n和p为载流子浓度,第一个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度时破坏公价键所需的能量,k为玻耳兹曼常数. 半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中,载流子指可以自由移动的带有电荷欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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