不久将来有望翻数倍的3大第三代半导体龙头

国内IGBT领域领军企业

主要从事以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计、研发和生产。不仅在IGBT 模块有着深厚的积累。 还在上游芯片部分实现了重大技术突破。

从技术面上当下回踩20日线后强势拉起，走势上属强势，当下资金承接盘力度良好，近期经过7个工作日的调整后一根金针探底拉起，当下整体情绪上，承接力度强势，若明日再度拉升，则将再度呈现金叉，当下经过短期的获利盘出逃，风险以规避部分，后续还看成交量能上是否能跟上，若不出现放量杀跌，短期将沿趋势运行。

国内半导体硅片领先企业

公司就是国内一家核心的大硅片企业，公司接近七成的收入都是来自于硅片业务，一年硅片产量就高达500万片以上。

从技术上看，当下走势属于个人比较喜欢的一种走势，当下前期完成底部筹码的吸筹后，开启本波行情，当下中间经过一段时间的获利盘出逃后，筹码交换后，再度拉起。当下5.10日线开口拐头向上，且当下成交量上呈现缩量回踩放量拉升，当下走势 健康 ，后续还看资金承接力度，不出现恐慌盘下，趋势将延续。

公司主要是做功率芯片分立器件和led，其中就有包括igbt，把握了芯片设计制造和封装测试全产业环节。

技术面上看，近期经过一波冲高后，留下 一根 放量大阴线，资金出逃意愿明显，目前短期上看上看在小箱体内波动，当下支撑位位于54附近，后续若有效站稳20日线上方，经过3,5个工作日调整 后再度 上行，将是一个比较好的选择，后续若跌破54强支撑，则将再度寻找下一支撑点

（　）龙头

原因：（　）

这个单位是复旦大学与华大半导体联合创办的单位，或者可以叫课题组，是专门的研发单位。这个单位是招聘的，但是目前来说只招聘博士以上学历，而且要求很高，不过待遇也很好。

以下是参考资料。是今年一月发布的。

为加快实施创新驱动发展战略，由复旦大学与华大半导体联合申报的上海碳化硅功率器件工程技术研究中心于2020年2月被上海市科委批准建立。中心通过与半导体器件生产和电力电子应用企业紧密合作，致力于研发基于宽禁带与超宽禁带半导体，特别是碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）材料为核心的新型功率器件、工艺和模块，加速下一代宽禁带半导体功率电子的广泛应用。工程中心将致力创建具备国际领先水平的宽禁带材料缺陷研究、器件制造工艺开发、元器件设计、模块封装以及可靠性测试、先进电力电子技术创新开放平台及高层次工程技术型人才培养中心和产业化辐射中心。中心成立以来，已承担多项宽禁带功率器件和模块重大项目，包括和龙头企业研发碳化硅器件的特色新工艺、与国家重点实验室开发超高压碳化硅器件和封装、参与多项省市科技重大专项等。中心正在积极建设宽禁带半导体工艺研发创新平台（复旦大学宁波研究院宽禁带材料与器件研究所），和国际知名企业共建创新中心和研究院。中心现有教授/研究员10人，其中特聘教授5人，副教授/青年研究员15人，超级博士后2人。中心招收宽禁带半导体物理与器件、半导体材料与集成电路、微纳器件系统集成、器件及可靠性测试、电力电子技术等方向的物理电子学硕士、博士研究生。

中心负责人张清纯教授，现任复旦大学特聘教授，博士生导师，上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任，复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所所长，复旦大学工程与应用技术研究院宽禁带半导体与超越照明研究所副所长，专长于宽禁带半导体物理与器件的教学、科研、应用与产业化，长期从事SiC器件的研发和产业化，是该领域国际知名专家。迄今已撰写100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有100多项美国及国际专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。

因研究工作需要，针对以下方向招聘博士后数名：

1)宽禁带半导体材料生长与缺陷表征技术

2)宽带半导体功率器件设计、先进制造工艺及器件可靠性评价

3)超宽禁带半导体材料、器件及工艺研究

4)高频高功率先进封装技术与可靠性测试

职位要求。

1)已获得或即将获得微电子、电力电子器件与应用、半导体物理与材料、半导体制造装备、材料科学与工程等相关专业的博士学位，具有扎实的理论基础和较强动手实践能力，至少具备相关领域一项相关研发经验

2)能独立开展研究工作，并具有优秀的团队合作精神，尤其是从事交叉性学科研究的能力，且具有优秀的动手能力和主动性；

3)具有良好的英语读写能力，可以独立撰写研究论文，具有功率半导体领域出色研发经历将获得优先考虑

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