碳化硅晶片切割划片方法？

碳化硅晶片切割划片方法

1、砂轮划片

砂轮切割机通过空气静压电主轴使刀片高速旋转，实现材料强力磨削。所用刀片镀有金刚砂颗粒，金刚砂的莫氏硬度为10级，只比硬度9.5级的SiC稍高，反复低速磨削不仅费时，而且费力，同时也会导致刀具的频繁磨损。例如，100mm(4英寸)的SiC晶片，一片一片地切割需要6~8小时，容易成为碎片的原因。因此，这种传统的低效加工方式逐渐被激光切割所取代。

2、激光全划

激光划线是指用高能激光束照射工件表面，使被照射区域局部熔融气化，除去材料，实现切割的过程。激光划线非接触加工，无机械应力损伤，加工方式灵活，无刀具损耗和水污染，设备使用维护成本低。为了防止激光穿透晶片时对支撑膜造成损伤，采用高温烧蚀的UV膜。

目前激光划线设备采用工业激光，波长主要有1064nm、532nm、355nm三种，脉冲宽度为纳秒、皮秒、飞秒级。理论上，激光波长越短、脉冲宽度越短，加工热效应越小，有利于精细精密加工，但成本相对较高。355nm紫外纳秒激光由于技术成熟、成本低、加工热效应小，应用十分广泛。近年来，1064nm皮秒激光技术发展迅速，应用于许多新领域，取得了很好的效果。

3、激光半切

激光划线适用于理性优良的材料加工，用激光划线到一定深度后，采用裂片方式，产生沿切割道纵向延伸的应力使芯片分离。该加工方式效率高，不需要贴膜去除膜工序，加工成本低。但是，如图3所示，碳化硅晶片的解理性差，不易产生裂片，裂纹面易缺损，横切部分仍存在熔渣粘连现象。

4、激光隐形切割

激光划线将激光聚焦在材料内部，形成改性层后，通过裂片或扩膜分离芯片。表面无粉尘污染，材料几乎无损耗，加工效率高。实现隐形切割的两个条件是材料对激光透明，足够的脉冲能量产生多光子吸收。

你是说封装的时候是如何将晶圆切割开的吧？封装前芯片会减薄到一般200um左右，然后会把圆片贴在一张蓝膜上，再进行划片；再经过装片工序，装片时用顶针将芯片与蓝膜分离并将芯片固定到封装框架上。

封装测试厂从来料（晶圆）开始，经过前道的晶圆表面贴膜（WTP）→晶圆背面研磨（GRD）→晶圆背面抛光（polish）→晶圆背面贴膜（W－M）→晶圆表面去膜（WDP）→晶圆烘烤（WBK）→晶圆切割（SAW）→切割后清洗（DWC）→晶圆切割后检查（PSI）→紫外线照射（U－V）→晶片粘结（DB）→银胶固化（CRG）→引线键合（WB）→引线键合后检查（PBI）；在经过后道的塑封（MLD）→塑封后固化（PMC）→正印（PTP）→背印（BMK）→切筋（TRM）→电镀（SDP）→电镀后烘烤（APB）→切筋成型（T－F）→终测（FT1）→引脚检查（LSI）→最终目检（FVI）→最终质量控制（FQC）→烘烤去湿（UBK）→包装（P－K）→出货检查（OQC）→入库（W－H）等工序对芯片进行封装和测试，最终出货给客户

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