半导体杂质高度补偿怎样检验?

你这个问题提得很好.

因为高度补偿半导体的有效载流子浓度很低,类似于本征半导体,所以采用常规的三探针技术、四探针技术等测量电阻的方法是无效的,就是采用电容-电压技术等也都不能很好检测出来.因此,只有采用光吸收等光学技术才有可能检测出杂质.

补偿半导体中存在施主于受主杂质，施主于受主之间相互抵消，剩余的杂质最后电离，这就是补偿半导体的意义。

补偿半导体(Compensate semiconductor)是掺杂半导体中的一种，即在半导体中既掺有施主、又掺有受主的半导体。

由于补偿半导体中掺有两种杂质，则就要产生杂质的补偿作用，从而其中能够参加导电的多数载流子，就只有由那些未被补偿的杂质来提供劝项夜因此补偿半导体中有效的载流子浓度很小，故电阻率连欢键很高,虽然补偿罪愉臭半导体的电阻率很高，但它不同于未掺杂的本征半导体,对于强补偿半束樱糠去导体，还往往因为掺杂浓度不均匀而造成电子电势的起伏，使得导带底和价带达影乐乃顶出现起伏(禁带宽度不变)，从而可形成所谓电子和空穴的"液滴"。

可以考虑根据电阻率的变化，从低温度开始，如果是本征半导体即高纯度，电阻率随温度升高单调下降，但是如果电阻率出现先下降后上升然后再单调下降的话就是高补偿（参照半导体物理书上给出的掺杂半导体电阻率与温度的曲线）。这个答案大家也就总结如此，理论上可行，但是总体来说实际 *** 作不太靠谱，毕竟要降到足够低的温度。 顺带鄙视1楼混答案

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