pn结微弱电流测试原理

pn结微弱电流测试原理是PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大，反之是高阻性，电流小。根据查询相关公开信息显示pn结是半导体中非常重要的一种结构，采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区。

一个二极管是由一个PN结的半导体元件，电流是从P流向N。三极管是由二个PN结的半导体元件，分为PNP和NPN两种形式，当其达到导通条件时，NPN三极管的电流是从C极流向E极，反过来，PNP三极管的电流是从E极流向C极。PNP和NPN导通后，电流方向是不同的。

其根本在于PN结的单向导电性。反向电流是由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。

在一定温度T下，由于热激发而产生的少数载流子的数量是一定的，电流的值趋于恒定，这时的电流就是反向饱和电流。

它的大小跟温度因素有关。

扩展资料

从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区结负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。

而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。

当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧增大。

这就是PN结的特性（单向导通、反向饱和漏电或击穿导体），也是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的分析都离不开它。比如二极管就是基于PN结的单向导通原理工作的；而一个PNP结构则可以形成一个三极管，里面包含了两个PN结。二极管和三极管都是电子电路里面最基本的元件。

参考资料来源：百度百科-PN结

参考资料来源：百度百科-反向饱和电流

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