硅的禁带是怎么形成的

硅的禁带是形成是能量不连续就会形成一系列的允带和禁带。禁带是指晶体中相邻两能带间的能量范围。晶体中的电子不能具有这种能量。禁带宽度的大小决定了材料是半导体还是绝缘体。目就十分少，以致所引起的导电作用在实际中可以忽略。

1、概念不同：

能带宽度：为价带和导带的宽度，即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。 禁带宽度：为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力，禁带宽度就是组电的能力。

2、所含电子不同：

能带：是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。始于20世纪初期，在量子力学确立以后发展起来的一种近似理论。

它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点，并进而说明了导体与绝缘体、半导体的区别所在，解释了晶体中电子的平均自由程问题。

禁带宽度：是指一个能带宽度，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。

例如：锗的禁带宽度为0.66ev；硅的禁带宽度为1.12ev；砷化镓的禁带宽度为1.46ev。‘

扩展资料：

结构

固体材料的能带结构由多条能带组成，能带分为传导带（简称导带）、价电带（简称价带）和禁带等，导带和价带间的空隙称为能隙。

能带结构可以解释固体中导体、半导体、绝缘体三大类区别的由来。材料的导电性是由“传导带”中含有的电子数量决定。当电子从“价带”获得能量而跳跃至“传导带”时，电子就可以在带间任意移动而导电。

参考资料：百度百科——能带

参考资料：百度百科——禁带宽度

因为硅的禁带宽度比锗的大，且在相同温度下，锗的本征激发强于硅，很容易就达到较高的本征载流子浓度，使器件失去性能。在通常情况下，要使硅激发的本征载流子浓度接近掺杂电离的载流子浓度，所需的温度就要高于同样情况下的锗。所以，硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高。

扩展资料：

半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关：半导体禁带宽度随温度能够发生变化，这是半导体器件及其电路的一个弱点（但在某些应用中这却是一个优点）。半导体的禁带宽度具有负的温度系数。例如，Si的禁带宽度外推到0K时是1.17eV，到室温时即下降到1.12eV。

禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；对于BJT，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低。

参考资料来源：百度百科-锗半导体

参考资料来源：百度百科-半导体禁带宽度

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