西安电力电子技术研究所

西安电力电子技术研究所

【研究内容】

研究范围：电力半导体器件和装置的研究。

推广技术与项目：4英寸超大功率快速晶闸管；5英寸大功率晶闸管。

学科分类： 电子、通信与自动控制技术 ； 动力与电气工程

【科研能力】

职工人数：740 (人)

技术人员： 375 (人)

机构类别： 省市系统

上级主管单位： 省科技厅

成立年代： 1966

主要研究人员：

内部机构名称： 第一研究室，第二研究室，第三研究室，第四研究室，国家工程研究中心，国家质量检测中心，行业标准室，

下属机构名称： 西安千岛实业有限责任公司，西安屹立电力电子有限责任公司，西安爱帕克电力电子有限公司，西安西普电力电子有限公司

出版刊物： 电力电子技术 季刊

生产产品： KS双向晶闸管 ； 超大功率晶闸管 ； 大功率晶闸管 ； 大功率GTO组件 ； 大功率整流管 ； 高压电子束轰击炉电源 ； 快恢复二极管 ； 快开通晶闸管 ； 脉冲电镀电源 ； KK快速晶闸管 ； 高压等离子风洞整流电源

科研成果： LGBT模块封装技术研究 ； 绝缘栅双极晶体管IGBT模块 ； 小光控晶闸管DV/DT测试台 ； MJ-Ⅱ/50型半自动磨角机技术工艺设备研究 ； GTR模块结构及封闭工艺 ； GTO应用共性基础技术研究 ； 晶闸管综合特性测试台 ； GTR模块测试技术和设备 ； 地铁动车斩波调压系统 ； KK2000A/1600V超大功率快速晶闸管 ； 12KV1500A高压晶闸管组件 ； 功率器件用中子嬗变掺杂直拉硅及其应用 ； Φ77MM系列大功率低损耗晶闸管 ； 直径100MM特大功率晶闸管 ； 城市轨道交通车用大功率GTO组件 ； KHS型大电流整流装置 ； 阳极短路型可关断晶闸管研究 ； 光控晶闸管能发源 ； Φ100MM3000A/5500V特大功率晶闸管 ； IGBT测试技术研究 ； KDH-Ⅱ型3000KW电力回收装置 ； 600A、1000～1800V大功率GTO晶闸管 ； Φ125MM三峡直流输电用超大功率晶闸管 ； 大容量高频率IGBT模块 ； IGBT器件封闭技术 ； GTO元件及组件开关时间测试台 ； GTR模块、GTO组件及应用模块测试技术和设备 ； 300MW汽轮发电机旋转励磁整流组件 ； 非对称晶闸管ASCR500A/2000V研究 ； 大功率GTO组件 ； 中板可逆轧机主传动晶闸管微机控制 ； 高压大电流快速晶闸管KK1000A/2000V的研究 ； 高频晶闸管的研制 ； KHS、ZHS电冶、电化学用整流电源 ； 高电压大电流高可靠性晶闸管研究 ； ±100KV舟山直流输电成套设备 ； 晶闸管稳态热阻及瞬态热阻抗测试方法研究和测试设备研制

拥有专利： 制造快速晶闸管的扩金新工艺 ； 桥臂组件结构的密封励磁功率柜

获奖情况： 部委级奖 ； 省级奖 ； 国家级奖 ； 部委级奖 ； 省级奖 ； 国家级奖

【研究成果】（共71项，以下显示其中10项）

￠77mm晶闸管元件

超高压大功率晶闸管的国产化 (中国机械工业科学技术奖三等奖)

4in超大功率快速晶闸管 (中国机械工业科学技术奖二等奖)

大功率电解整流电源

GTO GTR应用电路模块

GTO GTR应用共性基础技术

IGBT器件的制造和工艺技术

MCT计算机辅助设计制造技术和测试技术

绝缘栅双极晶体管IGBT模块

KHS、ZHS电冶、电化学用整流电源

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【申请专利】（共3项 ，以下显示其中10项）

桥臂组件结构的密封励磁功率柜 (申请号:97239564.4)

钼片回收新方法 (申请号:88103038.4)

制造快速晶闸管的扩金新工艺 (申请号:86102417)

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【发表期刊论文】（共41篇 ，以下显示其中10篇）

阀组件在电力系统中的应用前景 楼晓峰 (电力设备 2006(7) )

ZK1150/4500快恢复二极管的研制 郭永忠 (电力电子技术 2006(5) )

60 t进口直流电弧炉电源的改造 王保荣 (工业加热 2006(1) )

Ф100快速晶闸管的研制 高山城 (电力电子技术 2005(5) )

X射线衍射分析热处理温度对透明导电膜结构与导电性能的影响 马颖 (液晶与显示 2005(4) )

高压变频器散热系统的设计 王丹 (电力电子技术 2005(2) )

有关交流拖动系统的IEC及国内标准动态 金东海 (电力电子技术 2005(2) )

直流输电用超大功率晶闸管少子寿命在线控制 李建华 (电力电子技术 2005(1) )

电弧炉与电网 张殿军 (工业加热 2004(5) )

采用谐振极软开关逆变器的异步电机直接转矩控制仿真研究 黄晓东 (西安理工大学学报 2004(3) )

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【发表学术会议论文】（共19篇 ，以下显示其中10篇）

国内外电力电子器件发展现状 (2004年全国电力网无功/电压技术研讨会 (2004-10-1))

晶闸管智能模块 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

热管结构的10kV晶闸管阀组件 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

PRC电路中负载变化对逆变器开关状态的影响 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

三峡工程与高压直流输电 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

电力电子集成技术的现状及发展方向 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

质子辐照用于改善大功率快速晶闸管的特性 (中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会 (2002-11-1))

4万t/a离子膜整流装置的运行总结 (第20届全国氯碱行业技术年会 (2002-9-1))

基于空间电压矢量的永磁同步电机控制系统仿真 (第七届中国电力电子与传动控制学术会议 (2001-7-1))

采用热管散热和φ100mm晶闸管的巨型励磁功率柜 (CSEE中国电机工程学会大电机专业委员会2001年度励磁学术讨论会 (2001-5))

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【起草标准】（共61项 ，以下显示其中10项）

半导体器件 分立器件第6部分:晶闸管第三篇 电流大于100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范 (标准编号:GB/T 13151-2005)

半导体器件 分立器件 电流大于100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范 (标准编号:GB/T 13150-2005)

电力半导体器件用接插件 (标准编号:JB/T 5843-2005)

电力半导体器件用门极组合件 (标准编号:JB/T 5835-2005)

电力半导体器件用管芯定位环 (标准编号:JB/T 5842-2005)

电力半导体器件用管壳瓷件 (标准编号:JB/T 10501-2005)

低压直流电源设备的性能特性 (标准编号:GB/T 17478-2004)

半导体变流器 包括直接直流变流器的半导体自换相变流器 (标准编号:GB/T 3859.4-2004)

电工术语 电力电子技术 (标准编号:GB/T 2900.33-2004)

电力半导体器件用散热器 第1部分:铸造类系列 (标准编号:GB/T 8446.1-2004)

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【媒体新闻】（共6篇 ，以下显示其中10项）

直流设备全面国产化之路能走多远 (2006-9-13)

大型清洁高效发电装备被列入重点发展对象 (2006-6-21)

曾培炎：振兴装备制造业关系现代化建设的全局 (2006-6-20)

国务院振兴装备制造业工作会议举行 (2006-6-20)

电力电子行业修改生产许可证实施细则 (2003-4-16)

西安电力电子技术研究所勇攀科技高峰 (2003-4-9)

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【联系信息】

机构名称： 西安电力电子技术研究所

曾 用 名： 机械工业部西安整流器研究所

负 责 人： 陆剑秋 职务： 所长 职称： 高级工程师，教授

地 址： 陕西省西安市朱雀大街94号 (710061)

电 话： (029) 85271717（办），85271888，85271829（科）

传 真： (029) 85261691

电子邮件： peri@chinaperi.com ； xwangi@pop3.irf.com

网 址： http://www.chinaperi.com

集成电路设计企业：

1、英飞凌科技（西安）有限公司

2.西安亚同集成电路技术有限公司

3.西安深亚电子有限公司

4.西安联圣科技有限公司

5.西安中芯微电子技术有限公司

6.陕西美欧电信技术有限公司

7.西安爱迪信息技术有限公司

8.西安交大数码技术有限责任公司

9.西安大唐电信公司IC设计部

10.西电科大华成电子股份有限公司。

扩展资料：

半导体分类：

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物（ 硫化镉、硫化锌等）、氧化物（锰、铬、铁、铜的氧化物）。

以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体的分类，按照其制造技术可以分为：集成电路器件，分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。

此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，虽然不常用，但还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

参考资料来源：百度百科-半导体

集成电路设计

紫光国芯(30.88 停牌)：同方国芯受益于军工芯片国产化渗透率的提升和军用存储器的横向拓展。中国军工芯片市场容量60亿元，国产化率10%，未来国产替代空间巨大。同方国芯的智能卡/智能终端亦在2015年迎来高速成长，国产yhk、健康卡芯片等有望逐步爆发。

大唐电信(16.69 -1.30%)：基带技术领先，汽车半导体芯片国内独家。公司旗下子公司联芯科技是国内TD-SCDMA和LTE基带/AP芯片主要设计公司之一，拥有数量众多的通讯专利，且芯片授权给小米投资的公司，未来在4G芯片领域有望有一席之地。

上海贝岭(13.08 -0.76%)：中国电子整合旗下集成电路资产的路径已经愈发明确，作为其旗下唯一A股上市平台，上海贝岭的资本运作值得关注。2014年，中国电子整合了旗下华大、华虹等IC设计资产成立华大半导体，产业收入规模跻身全国前三名。

集成电路制造

三安光电(15.82 -1.86%)：公司布局化合物半导体制造，冲击全球龙头。三安光电在国内率先进入6寸GaN领域，未来有望整合制造和设计，成为化合物半导体龙头。

士兰微(6.24 -0.79%)：公司是中国IDM龙头，公司主要产品包括分立器件、功率器件、LED驱动、MEMS传感器、IGBT、安防监控芯片等。公司未来按照电源和功率驱动产品线、数字音视频产品线、物联网产品线、MCU产品线、混合信号与射频产品线、分立器件产品线、LED器件产品线等七大产品线发展。

华微电子(8.55 -1.04%)：公司是国内主要的半导体功率器件IDM，主要产品包括MOSFET、IGBT、BJT、二极管等，可用于汽车电子设备中。

集成电路封测

华天科技：中国营收规模第二、盈利能力最强的半导体封装测试公司，公司甘肃、西安、昆山三地布局传统封装到先进封装全线产品。今年年初，公司与华天科技签署了战略合作协议，双方将在集成电路先进制造、封测等方面展开合作，共同建设中国集成电路产业链。

通富微电(10.95 -0.90%)：巨头重要封测伙伴，公司国际大客户营收占比较高，海外销售占比超过70%，客户产品主要面向智能手机、汽车等高增长市场。

晶方科技(32.86 -0.54%)：公司是封装绝对领导者，2014年成为全球第一家12英寸WLCSP封装供应商，为OmniVison、格科微等海内外CIS巨头提供封测服务。同时，公司还是苹果Touch ID封装的主要供应商之一。公司发展的主要方向是汽车摄像头、模组封装、指纹识别和MEMS封装。

集成电路设备和材料

七星电子：公司是A股半导体设备的龙头公司公司2014年9.62亿收入中，半导体设备达到4.64亿元，占比48.2%。七星的半导体设备主要用于集成电路、太阳能(14.35 -1.03%)电池、TFT-LCD、电力电子等行业。在集成电路设备方面，公司12英寸氧化炉，65~28nm清洗设备，45~32nm LPCVD等是看点。

兴森科技(6.94 +0.29%)、上海新阳(32.22 -1.47%)：12寸大硅片项目为中国集成电路提供最核心材料，两家公司联合新傲科技和张汝京博士成立的大硅片公司上海新升预计四季度能出12寸硅片样品，预计明年1季度实现量产，目前硅片产能大部分已经被预定。上海新升将弥补中国半导体产业最核心原料的缺失。国家大基金有意投资，且上海新升已经确定入驻临港产业园区集成电路基地，有望受益上海集成电路基金扶持。

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