有一些材料的导电性能介于导体和绝缘体之间,常常被成为半导体。半导体是易受温度光照,杂质等因素的影响,半导体是制造电子元件的重要材料,二极管,三极管都是半导体制成的。
中科院的半导体所挺好的,中国科学院半导体研究所于1960年成立,是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构。研究所主要的研究方向和领域有半导体物理、材料、器件、工艺、电路及其集成应用研究等。
据2016年9月研究所官网显示,研究所拥有14个科研机构,与地方政府、科研机构、大学和企业等共建了1个院士工作站、3个研发(转移)中心、9个联合实验室。
拥有3个博士后流动站,3个一级学科博士培养点,包括5个二级学科博士培养点。拥有5个二级学科硕士培养点,3个专业学位硕士培养点。共有职工690余名,在学研究生近600名。
2019年,中国科学院半导体研究所牛智川研究员团队创新设计金属光栅侧向耦合分布反馈(LC-DFB)结构,成功实现了2μm波段高性能单模激光器,综合性能达到国际一流水平并突破国外高端激光器进口限制性能的规定条款。
以上内容参考:百度百科--中国科学院半导体研究所
三星宣布与合作伙伴一同发现了一种名为非晶氮化硼(a-BN)的新材料。其在三星先进技术研究院(SAIT)的研究人员与蔚山国立科学技术研究院(UNIST)以及剑桥大学合作进行了这一发现。 合作者在《自然》杂志上发表了他们的研究成果,并认为这种材料将 "加速下一代半导体的出现"。
三星在解释新发现的非晶氮化硼时表示,它由硼和氮原子组成,具有非晶分子结构,新材料来源于白色石墨烯,但不同的分子结构使得a-BN与白色石墨烯 "有独特的区别"。
三星表示,a-BN有望广泛应用于DRAM和NAND解决方案,因为它能够最大限度地减少电干扰,并且可以在400℃的相对低温下完成晶圆的规模生长。
石墨烯项目负责人、SAIT首席研究员Hyeon-Jin Shin在评论这种材料时说。
"为了提高石墨烯与硅基半导体工艺的兼容性,应在低于400℃的温度下实现半导体基板上的晶圆级石墨烯生长。我们也在不断努力,将石墨烯的应用扩展到半导体之外。"
该公司没有给出希望何时开始在其硬件产品中使用这种新材料的日期,但表示可以将其应用于半导体,特别是大规模服务器的下一代存储器解决方案中的DRAM和NAND方案。
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