半导体开源架构RISC-V崛起，华为、阿里等中企积极参与

（全球TMT2022年3月16日讯）在半导体开发领域，“RISC-V”正在崛起。RISC-V是规定半导体基本规格的指令集架构（ISA）之一，由美国加州大学伯克利分校的研究人员从2010年开始开发。RISC-V最大的优势在于完全的免费开源。最近RISC-V的存在感提升。该标准首先在可穿戴设备和智能家电等领域不断得到应用，有预测显示，到2025年采用率将达到近3成。

在中国，华米 科技 等可穿戴设备厂商一直采用这种架构。阿里巴巴集团以RISC-V为基础开发出了用于物联网的AI芯片，并将其IP公开。此前有消息称，华为为鸿蒙系统的开发人员提供了首个基于RISC-V架构的鸿蒙开发板Hi3861芯片。

海外的大型IT企业也在积极采用RISC-V。美国谷歌2021年10月推出了新款智能手机“Pixel 6”系列，利用RISC-V为该系列开发了用于保护数据的半导体。美国苹果已开始在招聘网站上招募“RISC-V程序员”。 西部数据提出了将存储装置的控制半导体换成RISC-V产品的方针。日本企业方面，索尼半导体解决方案和日立制作所等也加入了该团体。

美股费城半导体指数近期遭空头反扑，外媒直指，这波半导体股大跌的原因，可能与大陆官方规划发展第三代半导体产业，以反制川普政府打压有关。 财经 专栏作家认为，晶片龙头英特尔技术落后台积电二至三个世代，大陆至少花五年以上才能与大厂抗衡，因此台积电将维持优势，暂无竞争对手。

美股涨多就是最大利空，尽管目前没有反转步入熊市的迹象，不过，有30年 *** 盘经验股市大咖老马在商周专栏撰文指出，股市短期涨幅过大，累积潜在卖压就会暴增，下杀的力道也快又猛，但低接买盘随后又反手进场，主要是热钱没有更好去处。

他表示，在低利率环境下，持有现金不如多找一些好股票，资产增值速度远大于微薄的利息，因此建议，选对主流产业趋势，并长期持有，忽略小幅度拉回，时间将会证明一切。「以半导体产业资本支出仍持续成长来看， 科技 业将继续保持高速成长，投资人可多留意，千万别预设目标价，以免错失更多获利机会。」

由于美国对大陆不断发动 科技 围剿战，斩断外国供应链的种种行径，大陆计划在2021年至2025年，在科学研究、教育和融资方面大力支持第三代半导体产业，对此项任务赋予的优先程度「和当年制造原子d一样」。

研调机构Gavekal Dragonomics指出，由于大陆第一、二代半导体技术落后国际大厂，且目前没有其他国家在第三代技术居主导地位，大陆将以倾国之力押注该领域，希望如同5G一样实现弯道超车。目前中国电子 科技 集团、三安光电等中企已进军第三代半导体产业。

老马认为，美中 科技 战升级，大陆关键技术被卡住，因此全力发展半导体相关产业，但说实话，晶片龙头英特尔技术也已落后台积电二至三个世代，大陆没花费五年以上时间，不可能与先进技术相抗衡，所以「台积电将维持优势，暂无敌手，但部分低阶订单确实会受到影响」。#台湾#

芯片早已经成为日常生活中不可替代的产品，任何的电子设备都会用上芯片。全球每年对芯片的需求都在几亿，几十亿颗以上。不过传统的芯片工艺几乎都是一致的，基于硅基材料生产芯片。

芯片的基础材料是硅，而硅的来源是在一堆沙子中不断提取纯度为99.99999%的硅。再将硅打磨成硅片，制成晶圆，最终经过上千道的工序形成芯片。而这一切的基础都是硅，因此市面上的芯片也被统称为硅基芯片。

然而硅基芯片也面临一个问题，那就是物理极限的限制。

随着芯片制程的不断突破，已经在向4nm，3nm甚至更先进的1nm发起 探索 ，但物理极限终会成为一道束缚。到时候硅基芯片到达尽头，可能人类 科技 也会陷入迟缓。

因此探究新工艺，新材料成为备受瞩目的热门话题。但真的有可能在硅基芯片之外取得新材料的突破吗？答案是有可能。

一则好消息传来，中国企业英诺赛科（苏州）半导体有限公司实现巨大突破，在硅基氮化镓材料上完成量产。英诺赛科已经建立起8英寸硅基氮化镓量产生产线，这也意味着不仅取得了新材料的攻克，而且进入到了量产阶段。

根据资料显示，硅基氮化镓芯片量产生产线建成之后，可实现年产值100亿，年产能也可以达到78万片硅基氮化镓芯片晶圆。

这是世界上首座氮化镓芯片量产项目，在中企的攻克下，对国产芯片的发展都会带来巨大的意义。

现如今业内正不断 探索 传统硅基芯片之外的新材料，新工艺。此前中科院研究的8英寸石墨烯晶圆就在半导体领域取得了显著进步，由于未实现量产，因此石墨烯制成的碳基芯片还处在研究阶段。

但氮化镓芯片则不同，英诺赛科已经立项建设生产线，将氮化镓推广量产。那么氮化镓能取得硅基芯片吗？性能表现又如何呢？

氮化镓属于第三代半导体材料，和硅不同的是，氮化镓无法靠自然界形成，必须要靠人工合成。其优势对比硅材料是很明显的，由氮化镓制成的器件，功率是硅的900倍。禁带宽带比硅高出3倍左右。击穿场强也高于硅11倍。

除此之外，氮化镓还有散热高，体积小，损耗小的优点。如果能够对氮化镓加以开发，取代硅基芯片是没有问题的。充电器，元器件等等部件，都能用上氮化镓。

硅基芯片统治了芯片界几十年，而研制出硅材料并掌握专利技术的是美国人。所以只要用上硅基芯片，不管有多少技术是自研的，从根源上就很难绕开美国技术。

并且摩尔定律即将到达极限已经是业内公认的事实，只不过是时间问题。当集成电路可容纳晶体管无法进一步提升时，那么就将迎来后摩尔时代的新挑战。也就是新材料，新工艺。

有的芯片企业重点研究封装，而有的则在 探索 芯片新材料。而中国要面临的后摩尔时代挑战在于产业链太宽，太长。大而不强是一个需要解决的问题，把产业链提升上去以后，才能顺利迎接挑战。

同时光刻机、光刻胶、芯片制程工艺等等，都还有很长的路要走。所以总的来说，中企能够攻克新材料，只是做好了迎接挑战的准备，真正的挑战还在后头。

美国掌握大量的芯片技术，所以2020年对中企实施芯片规则时，几乎没有一家企业能够逾越美国技术向中企攻克。这也让我们意识到，必须从根本上解决技术难题。

英诺赛科的氮化镓芯片或许只是迈出的第一步，想要改变整个芯片市场格局并非易事。所以期待能有更多的技术取得突破，到时候面对挑战，也能巍然矗立。

对英诺赛科的新材料突破你有什么看法呢？

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