半导体过滤器行业PPM的指标

试剂规格基本上按纯度（杂质含量的多少）划分，共有高纯、光谱纯、基准、分光纯、优级纯、分析和化学纯等7种。国家和主管部门颁布质量指标的主要优级纯、分级纯和化学纯3种。

1、优级纯：又称一级品或保证试剂，99.8%，这种试剂纯度最高，杂质含量最低，适合于重要精密的分析工作和科学研究工作，使用绿色瓶签。

2、分析纯：又称二级试剂，纯度很高，99.7%，略次于优级纯，适合于重要分析及一般研究工作，使用红色瓶签。

3、化学纯：又称三级试剂，≥99.5%，纯度与分析纯相差较大，适用于工矿、学校一般分析工作。使用蓝色（深蓝色）标签。

根据高纯试剂工业专用范围的不同，可将其分为以下几种：

1、光学与电子学专用高纯化学品，即电子级试剂试剂。

2、金属-氧化物-半导体电子工业专用高纯化学品，即UP-S级或MOS试剂（读作：摩斯试剂）。

一般用于半导体，电子管等方面，其杂质最高含量为0.01-10ppm，有的可降低到ppb数量级，金属杂质含量小于1ppb，尘埃等级达到0-2ppb，适合0.35—0.8微米集成电路加工工艺。

3、单晶生产用高纯化学品。

4、光导纤维用高纯化学品。

半导体存储器的两个技术指标是：存储容量和存取时间。

存储容量：指该存储器的大小，体现所能存储数据的多少。

存取时间：对该存储器读写的时间，时间越短，性能越好。在cpu执行指令时，需要多次对存储器读写，读写时间短可以提高cpu的性能。

半导体存储器(semi-conductor memory)

是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器。

按其制造工艺可分为：双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。

按其存储原理可分为：静态和动态两种。

其优点是：体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。

主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。

一、特点不同

1、断裂强度：根据材料的材质及粗细不同，其测定设备也相应有所变化，但总的原理不变。

2、抗拉强度：表征材料最大均匀塑性变形的抗力，拉伸试样在承受最大拉应力之前，变形是均匀一致的，但超出之后，金属开始出现缩颈现象，即产生集中变形；对于没有（或很小）均匀塑性变形的脆性材料，它反映了材料的断裂抗力。

二、性质不同

1、断裂强度：是材料发生断裂时的拉力与断裂横截面积的比值，即应力。

2、抗拉强度：是金属由均匀塑性形变向局部集中塑性变形过渡的临界值。

扩展资料

1、抗拉强度的分类：

（1）张拉膜抗拉强度

膜材在纯拉伸力的作用下，不致断裂时所能承受的最大荷载与受拉伸膜材宽度的比值，通常用N/3cm来表示。它分为经向和纬向抗拉强度。

（2）混凝土抗拉强度

混凝土承受拉应力时的极限强度远比混凝土抗压强度为小，只有立方体抗压强度的1/17~1/8。凡影响抗压强度的因素，对抗拉强度也有相应的影响。但不同因素对抗压强度和抗拉强度的影响程度却不同。

（3）岩石的抗拉强度

岩石的抗拉强度是指岩石试件在受到轴向拉应力后其试件发生破坏时单位面积所能承受的最大拉力。

2、断裂强度的测定方法

在需要同时测定延伸率的情况下，测试样本的长度将会有所规定。例如在半导体行业内使用的键合线的一项重要指标即为断裂强度及延伸率，其测定条件根据英制单位及公制单位不同其样本的长度固定也有所不同。

参考资料来源：百度百科-抗拉强度

参考资料来源：百度百科-断裂强度

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