芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(WaferFabrication)、晶圆针测工序(WaferProbe)、构装工序(Packaging)。
测试工序(InitialTestandFinalTest)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(FrontEnd)工序,而构装工序、测试工序为后段(BackEnd)工序。
按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类,一般来说这些还会被再分成小类。
此外,IC除了在制造技术上的分类以外,还有以应用领域、设计方法等进行分类,最近虽然不常用。
但还有按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
晶圆处理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关。
但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
扩展资料:
(1)元素半导体。元素半导体是指单一元素构成的半导体,其中对硅、锡的研究比较早。它是由相同元素组成的具有半导体特性的固体材料,容易受到微量杂质和外界条件的影响而发生变化。目前,只有硅、锗性能好,运用的比较广,硒在电子照明和光电领域中应用。
硅在半导体工业中运用的多,这主要受到二氧化硅的影响,能够在器件制作上形成掩膜,能够提高半导体器件的稳定性,利于自动化工业生产。
(2)无机合成物半导体。无机合成物主要是通过单一元素构成半导体材料,当然也有多种元素构成的半导体材料,主要的半导体性质有I族与V、VI、VII族;II族与IV、V、VI、VII族;III族与V、VI族;IV族与IV、VI族。V族与VI族;
VI族与VI族的结合化合物,但受到元素的特性和制作方式的影响,不是所有的化合物都能够符合半导体材料的要求。这一半导体主要运用到高速器件中,InP制造的晶体管的速度比其他材料都高,主要运用到光电集成电路、抗核辐射器件中。对于导电率高的材料,主要用于LED等方面。
参考资料来源:百度百科-半导体
芯片分为设计与制造两个环节
晶圆(wafer),相当于芯片的“地基”,提到晶圆一般会提到尺寸如8寸或12寸,尺寸是硅晶圆的单位
单晶(monocrystalline)具有原子一个个紧密排列的特性,可以形成平整的原子表层,使用单晶做晶圆,可以使后续添加的原则和基板结合更固定
IC芯片3D剖面图
底部是晶圆,红色(一楼)相对其他层较复杂,是IC中最重要的部分,多种逻辑闸组合一起
黄色(一般楼层),需要多层是因为单次无法容纳所有电路,所以需要堆叠
上面介绍IC的构造,这部分看如何只做
IC芯片的外壳,芯片尺寸微小,需要一个大尺寸的外壳做保护和安装
intel、高通、博通、英伟达、美满、赛灵思、Altera、联发科、海思、展讯、华大半导体等
中芯科技、三星、SK海力士、华润微电子、华虹宏力、英特尔、台积电、华力微电子、西安微电子、和舰科技、联电、力晶等
安靠、长安科技、通富微电、日月光、力成、南茂等
原文:
终于有人讲透了芯片设计流程!(电子人必读) - 百度文库 (baidu.com)
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