半导体静电消除芯片原理

通过升降导电橡胶垫和半导体芯片接触将半导体芯片上的静电电荷转移接地消除。半导体制造中特别容易产生静电释放，静电释放（ESD）是一种形式的玷污，可以通过升降导电橡胶垫和半导体芯片接触将半导体芯片上的静电电荷转移接地消除，达到快速消除半导体芯片上的静电的作用。

1.在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质（离子）是固定不动的,这就是内建电场的形成原理. 2.N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合,载流子消失. 因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区. P 型半导体一边的空间电荷是负离子,N 型半导体一边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这就是P-N结的两边产生内建电场. 这电场阻止载流子进一步扩散,达到平衡. 希望能对您有所帮助.

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