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组成不同、作用不同、制作方式不同。1、作用不同：芯片可以封装更多的电路。增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能。集成电路所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方答面迈进了一大步。

演示机型：华为MateBook X

系统版本：win10

组成不同、作用不同、制作方式不同。

1、组成不同：芯片是一种把电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。集成电路是一种微型电子器件或部件。

2、作用不同：芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能，见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每1.5年增加一倍。集成电路所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方答面迈进了一大步。

3、制作方式不同：芯片使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。集成电路采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内。

高清网络摄像机(IP Camera)是在模拟摄像机(Camera)的基础上集成了视频压缩和网络传输处理模块(DVS)，兼具模拟摄像机和视频服务器的技术特点。网络摄像机只要安置在任何一个具备IP网络接口的地点即可独立运行。网络摄像机除了具备一般传统摄像机所有的图像捕捉功能外，机内还内置了数字化压缩控制器和基于WEB的 *** 作系统(包括Web服务器、FTP服务器等)，使得视频数据经压缩加密后，通过网络(局域网、Internet或无线网络)送至终端用户，而远端用户可在自己的PC上使用标准的网络浏览器或客户端软件对网络摄像机进行访问，实时监控目标现场的情况，并可对图像资料实时存储，另外还可以通过网络来控制摄像机的云台和镜头，进行全方位地监控。有些网络摄像机还具备其他功能，如语音对讲、报警输入、继电器输出、移动侦测、模拟视频输出和SD卡本地存储录像资料等功能。用公式形象表示如下：IP Camera=单路DVS+Camera。

模拟摄像机(Camera)是获取监视现场图像的前端设备，它以CCD图像传感器为核心部件，外加同步信号产生电路、视频信号处理电路及电源等。近年来，新型的低成本CMOS图像传感器有了较快速的发展，基于CMOS图像传感器的摄像机已开始被应用于对图像质量要求不高的可视电话或会议电视系统中。由于CMOS图像传感器的分辨率和低照度等到主要指标暂时还比不上CCD图像传感器，因此，在电视监控系统中使用摄像机仍为CCD摄像机。模拟摄像机(Camera)输出的信号是视频信号，只能传输单向的视频信号，需要连接监视器或硬盘录像机进行监视和录像。

　摄像机按照分类标准的不同，种类也不同，大体可以按照如下标准分类：

1) 依成像制式划分

按照成像制式，摄像机可分为PAL制摄像机和NTSC制摄像机，采用PAL制摄像机的国家较多，比如中国、德国、新加坡、澳大利亚等采用NTSC制的主要有美国、日本等国家。

2) 依成像器件划分

按照成像器件，摄像机可分为CMOS摄像机，CCD摄像机，DPS摄像机。

CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，互补性氧化金属半导体)摄像机特点是价格低廉，功耗低，缺点是寿命比较短，感光度较差，容易起噪点，多用于早期摄像机，目前有些高清摄像机也是以CMOS为主。

CCD(Charge Coupled Device ，感光耦合组件)摄像机为当前主流，相对于CMOS优点是解析度比较高、低噪点、寿命比较长。

DPS(Digital Pixel System，数字像素系统)摄像机标志着在摄像机技术上的一个根本突破，它是一种捕捉高质量图像的尖端技术，可以使用在最复杂及最苛刻的光照条件下，相对于传统的CMOS及CCD，DPS技术对每个像素采样后直接转换为数字信号，纯数字处理技术的应用减少了信号传输噪声和损耗。

3) 依成像色彩划分

按照成像色彩，摄像机可分为彩色摄像机、黑白摄像机和彩转黑摄像机。

彩色摄像机：适用于景物细部辨别，如辨别衣着或景物的颜色。因有颜色而使信息量增大，信息量一般认为是黑白摄像机的10倍。

黑白摄像机：用于光线不足地区及夜间无法安装照明设备的地区，在仅监视景物的位置或移动时，可选用分辨率通常高于彩色摄像机的黑白摄像机。

彩转黑摄像机：一般为白天照度好的情况下位彩色，夜间照度低的情况下自动转换为黑白，目前主流的摄像机都为彩转黑摄像机。

4) 依摄像机分辨率划分

按照摄像机分辨率划分，可分为低档型、中档型、高档型和高清型。

低档型： 影像像素在25万像素(pixel)左右、彩色分辨率为330线、黑白分辨率400线左右

中档型： 影像像素在25万-38万之间、彩色分辨率为420线、黑白分辨率在500线上下

高档型： 影像在38万点以上、彩色分辨率大于或等于480线、黑白分辨率，600线以上

高清型： 前端部分即图像采集部分，也就是高清网络摄像机，目前基本上采用CCD与COMS两种传感器分别针对不同的需求设计，CMOS在高像素方面有一定的优势，而CCD对监控场景的适应性更佳，视频编码方式上多采用H.264与MJPEG。

5) 依摄像机灵敏度划分

按照摄像机灵敏度划分，可分为如下几种：

普通型：正常工作所需照度为1-3Lux

月光型：正常工作所需照度为0.1Lux左右

星光型：正常工作所需照度为0.01Lux以下

红外照明型：原则上可以为零照度，采用红外光源成像。

6) 依摄像元件的CCD靶面大小划分

按照摄像元件的CCD靶面大小划分，可分为如下几种：

1 英寸 靶面尺寸为宽12.7mmX高9.6mm,对角线16mm

2/3 英寸 靶面尺寸为宽8.8mmX高6.6mm,对角线11mm

1/2 英寸 靶面尺寸为宽6.4mmX高4.8mm,对角线8mm

1/3 英寸 靶面尺寸为宽4.8mmX高3.6mm,对角线6mm

1/4英寸 靶面尺寸为宽3.2mmX高2.4mm,对角线4mm

当前主流摄像机多为 1/3 英寸靶面，交通专用摄像机多用1/2 英寸靶面.

7) 依外型样式划分

按照外型样式划分，可分为如下几种：

传统标准型　：　q式摄像机

板机型　 ：　鱼眼，针孔等摄像机

伪装型　 ：　半球型，灯饰型，烟感型摄像机

一体型　 ：　一体机，球型，红外型摄像机

顾名思义：导电性能介于导体与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）．物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与金属和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。 半导体的发现实际上可以追溯到很久以前，1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成半导体被认可需要这么多年主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。半导体于室温时电导率约在10ˉ10～10000/Ω·cm之间，纯净的半导体温度升高时电导率按指数上升。半导体材料有很多种，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的有机物半导体等。本征半导体(intrinsic semiconductor) 没有掺杂且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。在绝对零度温度下，半导体的价带(valence band)是满带(见能带理论)，受到光电注入或热激发后，价带中的部分电子会越过禁带(forbidden band/band gap)进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带(conduction band)，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴(hole)，导带中的电子和价带中的空穴合称为电子 - 空穴对。上述产生的电子和空穴均能自由移动，成为自由载流子(free carrier)，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，使电子-空穴对消失，称为复合(recombination)。复合时产生的能量以电磁辐射（发射光子photon）或晶格热振动（发射声子phonon）的形式释放。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时本征半导体具有一定的载流子浓度，从而具有一定的电导率。加热或光照会使半导体发生热激发或光激发，从而产生更多的电子 - 空穴对，这时载流子浓度增加，电导率增加。半导体热敏电阻和光敏电阻等半导体器件就是根据此原理制成的。常温下本征半导体的电导率较小，载流子浓度对温度变化敏感，所以很难对半导体特性进行控制，因此实际应用不多。杂质半导体(extrinsic semiconductor) 半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为n型半导体和p型半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质，相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时，杂质原子作为晶格的一分子，其五个价电子中有四个与周围的锗（或硅）原子形成共价键，多余的一个电子被束缚于杂质原子附近，产生类氢浅能级-施主能级。施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多，很易激发到导带成为电子载流子，因此对于掺入施主杂质的半导体，导电载流子主要是被激发到导带中的电子，属电子导电型，称为n型半导体。由于半导体中总是存在本征激发的电子空穴对，所以在n型半导体中电子是多数载流子，空穴是少数载流子。相应地，能提供空穴载流子的杂质称为受主(acceptor)杂质，相应能级称为受主能级，位于禁带下方靠近价带顶附近。例如在锗或硅晶体中掺入微量三价元素硼、铝、镓等杂质原子时，杂质原子与周围四个锗（或硅）原子形成共价结合时尚缺少一个电子，因而存在一个空位，与此空位相应的能量状态就是受主能级。由于受主能级靠近价带顶，价带中的电子很容易激发到受主能级上填补这个空位，使受主杂质原子成为负电中心。同时价带中由于电离出一个电子而留下一个空位，形成自由的空穴载流子，这一过程所需电离能比本征半导体情形下产生电子空穴对要小得多。因此这时空穴是多数载流子，杂质半导体主要靠空穴导电，即空穴导电型，称为p型半导体。在p型半导体中空穴是多数载流子，电子是少数载流子。在半导体器件的各种效应中，少数载流子常扮演重要角色。

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