1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。
1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。
1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。
1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。
1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。
1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。
1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。
1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。
1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。
1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。
1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。
1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。
七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安691厂等等。
1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。
PS版的分类由于设备性能和印刷品档次的不同，对PS版的性能有不同的要求。如精细印刷品会要求版材的感光层分辨率高、网点还原性好、大面积平网要均匀等要求，报纸印刷则希望印版耐印率高、晒版时间短等，但是总的来说，PS版主要分为两种类型：光聚合型和光分散型两种。
光聚合型用阴图原版晒版，图文部分的重氮感光膜见光硬化，留在版上，非图文部分的重氮感光膜见不到光，从而不会硬化，能被显影液溶解并除去；光分解型用阳图原版晒版，非图文部分的重氮化合物见光分解，被显影液溶解除去，留在版上的印版作为衔接印前和印刷的关键要素，对印刷生产流程起着非常重要的作用。就国内印前工艺流程来看，主要有CTF（ComputertoFilm计算机直接出胶片）和CTP（ComputertoPlate计算机直接制版）两条流程，它们都接收1-Bit-Tiff的加网数据，然后经过各自工艺流程后最终输出印版，只是CTF多了出胶片和晒版的中间环节。其中CTF工艺流程主要使用PS版（PresensitizedOffsetPlat预es涂感光版），而CTP主要使用的是CTP版，他们使用的版材都有各自的特性。为了使读者更了解印刷版材的特点，本文将按照印前工艺对印刷印版进行分类介绍。
(1)向上扩散型直接版材
这种版材主要由版基、银盐乳剂层和物理显影核层构成。激光扫描成像后，进行扩散显影。没有曝光区域的银离子向上扩散，在表层物理显影核的作用下还原成金属银，成为亲油表面；曝光区域的表层仍然为乳剂层，具有良好的亲水性。这种版材的版基既可以是金属材料（如铝金属），也可以是柔性的高分子片基（如聚酯片基），在多数情况下是柔性的高分子片基。
(2)向下扩散型银盐版材
这种版材是由具有良好亲水表面的铝版基、物理显影核层和银盐乳剂层构成。在激光扫描成像后进行扩散显影。曝光区域的银离子向下扩散，在底层物理显影核的作用下还原成金属银，成为最后的亲油表面；然后将乳剂层去掉，曝光区域的亲水版基表面裸露出来成为亲水层。这种版材具有非常高的感光度和感色范围，耐印力也非常高，适合于高档商业印刷。
(3)银盐与PS版复合型直接版材
这种版材主要利用银盐乳剂层的高感光度和宽感色范围完成版材的激光直接扫描成像，利用PS版的印刷适性来完成印刷工艺的要求，是一种银盐感光材料和PS版技术构筑直接版材的组合。印刷适性和耐印率与传统PS版完全相同，但这种版材结构更复杂，而且需要多次曝光和显影、定影等后处理，工艺较为麻烦。
随着技术的提高和生产要求的不断提高，银盐版也逐渐显示出其不足之处。首先，由于要以银作仍然是没有见光的重氮化合物。
一般PS版的亲油部分要高出版基平面约3μm，这层物质一般是重氮感光树脂，它具有良好的亲油疏水性能，能够起到很好的疏水亲油且将油墨铺展开来的特点，同时它还具有良好的耐磨性和耐酸性；PS版的亲水部分则是三氧化二铝薄膜，它高出版基平面约0.2μm～1μm，亲水性、耐磨性、化学稳定性都比较好，因而印版的耐印率也比较高。
PS版虽然现在仍是我国印刷版材的主要支撑线，但是随着技术的发展和人们对环境要求的不断提高，PS版也日渐显露出它的弊端。PS版在生产上的高耗电、高耗水和高污染一直是国产PS版的痛楚，同时PS版由于在制版工序上的特点，使他的制版周期高于CTP版，所以对于短版实效性要求较高的活件来说，PS版有其弊端之所在。但是，并不是说CTP技术的出现就将CTF打败，就目前国内发展形式来看，CTF和CTP技术将在很长一段时间内共存。
CTP版
CTP版相对于PS版来说，CTP版材的种类和品种更多，现在CTP市场上，销量最大的3种CTP技术分别是银盐、热敏和紫激光，利用这些技术生产的印版为银盐版、热敏版和光聚合版，而其他还有CTcP以及喷涂蒙版型等版材。下面主要介绍三种主流版材的特点。
1、银盐版
CTP技术应用初期主要应用光敏技术，即通过激光扫描使版材上的感光材料曝光而达到计算机直接制版的目的。当时光敏版材虽体系不同，感光机理也不尽相同，但核心感光材料都是银卤化物。所以，这代CTP可以统称为银盐版。银盐版最大优势是感光速度快。迄今为止，银盐版仍是感光速度最快的版材，无论是热敏版材还是紫激光聚合版材，在速度方面都比不上银盐版。
银盐版材主要分为向上扩散型版材、向下扩散型版材和银盐与PS版复合型版材三种类型：
感光材料，所以一直以来价格昂贵。其次，银盐版印刷适性不是很好，耐印力也存在一定的问题，对油墨也有一定的要求。第三，银盐版过高的感光速度是在以暗室 *** 作为前提的要求下进行的，且版材的保存必须严格避光，只要其中任一环节出错，都会造成版材报废，特殊的环境要求给制版工作带来很大难度。最后就是环保问题，银盐版的显影处理会带来有毒废液，对环境带来污染。目前，仍有一些在企业使用银盐版，但其应用范围已经越来越窄。
2、热敏版
热敏版的涂层是由对温度敏感的聚合物或烧蚀层组成，主要对800nm～850nm的红外激光敏感，当温度没有达到临界值时印版不会发生反应，而当温度超过临界值时，网点大小和形状也不会受到影响。所以可以产生干净、边缘清晰的网点，基本不发生网点扩大和缩小，工业上用来制作精细的加网线数。热敏制版机主要采用外鼓式结构，一般制版速度约为12～24张四开版/小时。热敏冲版机的兼容度相对较好，可以容纳多种版材。此外，还可以对热敏版进行烘烤以提高耐印率，适用于长版印刷或采用UV油墨印刷。所以热敏技术比较适合在商业印刷领域使用。
热敏计算机直接制版技术大体上可以分为两大类，下面介绍两种热敏版材：
(1)热熔解型
这种版材的基本组成为光滑无需粗化处理的铝版，热熔材料亲墨层和PVA层(或硅胶)。其成像原理主要是用半导体二极管对印版曝光，受热部位的热熔材料与铝版基结合，形成亲墨层，未见光部分剥离或吹掉，然后就可以上机进行印刷。
在版材的整个处理过程中，没有涉及到化学处理过程，因此较为环保，而且由于他对自然光感光度很低，所以可以明室下工作，处理时只需常规的制版设备， *** 作较为方便。
(2)热交联型
热交联型是一种技术比较成熟，且已实现大规模商业化生产的热敏版材。其版材的基本组成为粗化铝基版和单层PS感光层。版材成像原理主要是通过红外线的热量而非光谱的作用，达到一定温度后，感光层中的部分高分子发生热交联反应，形成潜像；再加热，使图文部分的高分子化合物进一步发生交联反应，其目的在于使图文部分在碱性显影液银盐光敏热敏感光2.6μJ/c2m140μJ/c2m130000～150000μJ/cm2
分辨率250lpi200lpi300lpi
*** 作安全安全300lpi冲洗较方较方日光耐印25万印40万印（烤后100万印）
方便
应用商业、报商业、报15万印商表1三种版材性能比较中不被溶解。热交联版材的图文区域由空间交联的高分子树脂构成，因此这类版材通常具有非常高的机械强度和耐印率，一般都可以印刷数十万份，非常适合长版印刷市场。
由于热交联型版材的曝光时间与曝光能量之间几乎没有关系，所以不存在曝光不足和曝光过度的现象，从而图文部分的性质很稳定，即使曝光后很长一段时间，印版依旧可以使用。另外，热交联型版材对自然光感光度很低，也可以明室下工作，处理时只需常规的制版设备。
3、光敏版
光聚合版材通常由铝版基、感光层和表面层构成。光聚合层主要由聚合单体、引发剂、光谱增感剂和成膜树脂构成。引发剂一般采用量子效率高的多元引发剂体系，光谱增感剂的作用是有效地将引发剂的感光范围延伸到激光的发光波长区域。表面层的作用主要是将大气中的氧气分子隔开，避免其进入感光层，以提高感光层的链增长效率，从而获得高感光度。由于采取了这些有效的措施，光聚合型直接版材的感光度得到大幅度提高，最低成像曝光量已经下降到10μJ/cm2左右，仅次于银盐版，而且这种版材结构简单，分辨力、耐印率及后处理与常规的PS版相似，有时会比PS版性能更好。
光敏版材表面涂布感光材料，药膜感受数据控制的可见光之后产生影像，类似于胶片曝光的传统成像原理,现在很流行的是紫激光技术。紫激光印版比较敏感，只需要很低的能量就能曝光成像。所以相对热敏技术，它的激光器寿命可以延长,加上使用内鼓式结构,制版速度非常快,适合对时间要求高的报业生产使用。最为突出的就是紫激光技术，但紫激光技术的感光原理决定了版材必须存放在暗室中，制版时搬运版材都必须在安全光下进行；网点还原相对热敏较差；同时版面上会存在少量的脏点，印刷时可能需要修版。
光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。
光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1微米线，即光刻的分辨线宽为1微米。日本两家公司成功地应用加速所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为0.1微米的微细布线，使光刻技术达到新的水平。
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