为什么说日本对韩国出口原料的限制会直接影响到了三星等半导体厂商的产能？

月日本宣布对出口至韩国的三种半导体材料加以管控，此举不仅将对韩国半导体产业造成冲击，并且可能会对三星的5G布局造成不利影响......

日本限制向韩国出口用于半导体制造过程中“清洗”所需的高纯度氟化氢、涂覆在半导体基板上的感光剂“光刻胶”、用于制造电视和智能手机显示面板的氟化聚酰亚胺，这3种材料是显示面板及半导体芯片制造过程当中所需的关键材料。该限制令已于7月4日开始执行。日本对韩国实施出口管制后，韩国半导体企业和面板企业短期内很难找到替代厂家，三星和LG等公司将受到冲击。

接下来是预烘和底胶涂覆工艺，光刻胶中含有溶剂，硅片脱水烘焙能去除圆片表面的潮气、增强光刻胶与表面的黏附性，这是与底胶涂覆合并进行的，底胶涂覆增强光刻胶(PR)和圆片表面的黏附性。广泛使用 (HMDS)六甲基二硅胺、在 PR 旋转涂覆前 HMDS 蒸气涂覆、PR 涂覆前用冷却板冷却圆片。

2017 年半导体光刻胶需求量达 216 万加仑，较 2016 年增长 8%，销售金额超过12 亿美元。未来一段时间内半导体光刻胶领域仍将实现增长：2016-2018 年全球半导体集成电路销售额复合增长率达到 19%，5G 技术的发展仍将催动半导体芯片更新换代，刺激 I 线光刻胶市场发展；精细化需求趋势将促进分辨率更高的光刻胶的应用，进而推动 KrF 光刻胶市场的增长。另外根据摩尔定律，每隔两年电子设备的性能就会翻一番，极紫外光刻胶的出现突破了 10nm 分辨率的瓶颈，但目前极紫外光刻胶实现产业化还需一定时间，这段时间内 ArF 光刻胶仍将为最先进制程节点的主流，保持快速增长趋势。预计 2018-2022 年全球半导体光刻胶需求量增速为 6%-8%，至 2022 年需求量将达到 310 万加仑，市场规模将达到 18.5 亿美元。

半导体原材料属于危险品，因为它们的性质是有毒的，可以对人类和环境造成潜在的危害。其中一些半导体原材料如硅，硒，铌，锗，钼，铍，氟，氯，砷，汞等等，都是有毒的，易燃的，容易蒸发的，有潜在的危害。它们的毒性不同，有的可以直接对人体造成损害，有的可以污染空气，水体，土壤，对环境造成潜在的伤害。如果不慎接触，还可能引发火灾。因此，半导体原材料属于危险品，应该加以严格管理，以防止发生危险事故。

半导体材料的特性：

半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。

此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、电、磁等因素）的变化非常敏感，据此可以制造各种敏感元件，用于信息转换。

半导体材料的特性参数有禁带宽度、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定，反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。

非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用（如光或电场）下内部载流子由非平衡状态向平衡状态过渡的弛豫特性。位错是晶体中最常见的一类缺陷。位错密度用来衡量半导体单晶材料晶格完整性的程度，对于非晶态半导体材料，则没有这一参数。

半导体材料的特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下，其特性的量值差别。

扩展资料：

材料工艺

半导体材料特性参数的大小与存在于材料中的杂质原子和晶体缺陷有很大关系。例如电阻率因杂质原子的类型和数量的不同而可能作大范围的变化，而载流子迁移率和非平衡载流子寿命

一般随杂质原子和晶体缺陷的增加而减小。另一方面，半导体材料的各种半导体性质又离不开各种杂质原子的作用。而对于晶体缺陷，除了在一般情况下要尽可能减少和消除外，有的情况下也希望控制在一定的水平，甚至当已经存在缺陷时可以经过适当的处理而加以利用。

为了要达到对半导体材料的杂质原子和晶体缺陷这种既要限制又要利用的目的，需要发展一套制备合乎要求的半导体材料的方法，即所谓半导体材料工艺。这些工艺大致可概括为提纯、单晶制备和杂质与缺陷控制。

半导体材料的提纯“主要是除去材料中的杂质。提纯方法可分化学法和物理法。化学提纯是把材料制成某种中间化合物以便系统地除去某些杂质，最后再把材料（元素）从某种容易分解的化合物中分离出来。物理提纯常用的是区域熔炼技术，即将半导体材料铸成锭条，从锭条的一端开始形成一定长度的熔化区域。

利用杂质在凝固过程中的分凝现象，当此熔区从一端至另一端重复移动多次后，杂质富集于锭条的两端。去掉两端的材料，剩下的即为具有较高纯度的材料（见区熔法晶体生长）。此外还有真空蒸发、真空蒸馏等物理方法。锗、硅是能够得到的纯度最高的半导体材料，其主要杂质原子所占比例可以小于百亿分之一。

参考资料：百度百科—半导体材料

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